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例: 设计一RAM扩展电路，容量为32K字，地址从10000H开始。芯片采用62256。 解： a、计算所需要的芯片个数 32K×16=64K ×8 64 K ×8/(32 K×8)=2(片) b、确定CS电路 c、偶片、奇片CS的产生 此方案不满足八位的写操作！ c、偶片、奇片CS的产生 此方案不满足16位的写操作！ 增加控制线/BHE(总线高字节有效信号) c、偶片、奇片CS的产生 d、电路 e、总结 8086CPU EPROM DB7…0 D7…0 (偶片) DB15…8 D7…0 (奇片) /RD /OE /WR /WR An…1 An-1..0 A19…n+1+M/IO# /CS A0 /BHE 偶片/CS 奇片/CS 四、译码方式 全译码 部分译码 线译码 五、译码芯片 常用的译码芯片是74LS138译码器，功能是3－8译码器，有三个“选择输入端”C、B、A和三个“使能输入端” G1、/G2A，/G2B#以及8个输出端 /Y7～ /Y0 译码芯片74LS138 工作特点 当 G1、G2a，G2b 有效时，芯片工作。 工作时YCBA=0 输 入 输 出 使 能 选 择 G1 G2A# G2B# C B A Y7# Y6# Y5# Y4# Y3# Y2# Y1# Y0# 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 其 它 X X X 1 1 1 1 1 1 1 1 74LS138功能表 用74LS138产生CS M/IO接74LS138 高位地址线接74LS138 /Y0…/Y7作/CS 几点注意 地址改变 译码线地址范围大于芯片容量 译码线地址范围小于芯片容量 有关存储器接口的内容一般有2种 给出地址，设计电路 给出电路，指出地址 七、综合应用题（本题共10分） 用4K×8的EPROM芯片组成一个16K×16的只读存储器，试问： 1）该只读存储器的数据线和地址线的位数。 2）根据题意需要多少个4K×8的EPROM芯片？ 3）画出该存储器的组成图及与CPU的连接。 答案要点： 1)数据线的位数16，地址线的位数2n=16K=24×210=214→n=14 （2分） 2)(16K÷4K)×(16÷8)=4×2=8(个) （2分） 3)存储器的组成图（6分） 部分译码法组成图 部分译码法组成图 作业 P229 5.6 8088→8086 5.8 内存空间20000H~8BFFFFH 5.9 微型机8086，128K→128K×16 5.10 8088→8086 5.13 8088→8086 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * * 结合指令举例 * 用指令举例 * 2764A芯片的引脚 2764A芯片的简图 返回 (1)读方式 VCC＝VPP＝+5V，PGE高电平，A12～A0接收来自CPU的地址信号→OE、CE有效（低电平）→一定时间间隔→读到D7～D0。 (2)备用方式(省电) CE高电平，输出端高阻态 (3)编程方式 VCC＝+5V，VPP＝+12.5V，从D7~D0输入要存储数据→OE高电平，CE低保持→每写一个地址单元PGM低电平45ms。 (4)编程禁止(同2) (5)编程校验 3）写完一个单元后→PGM高电平CE，OE低电平→该单元内容在数据线上→与输入比较是否正确。 (6)Intel标志符模式(同1) 2764A的工作方式选择表 方式 A9 A0 VPP VCC 数据端功能 读 低 低 高 × × VCC 6 V 数据输出 输出禁止 低 高 高 × × VCC 6 V 高阻 备用 高 × × × × VCC 6 V 高阻 编程 低 高 低 × × 12.6 V VCC 数据输入 校验 低 低 高 × ×