RENA前后清洗工艺培训.pptVIP

后清洗工序工艺要求 后清洗出来的片子，不允许用手摸片子的表面。收片员工只允许接触片子的边缘进行装片。并且要勤换手套，避免PECVD后出现脏片！ 每批片子的腐蚀重量和绝缘电阻都要检测。 1.要求每批测量4片。 2.每次放测量片时，把握均衡原则。如第一批把测试片放1.3.5.7道，下一批则放2.4.6.8道，便于监控设备稳定性和溶液的均匀性。 生产没有充足的片子时，工艺要求： 1.如果有1小时以上的停机，要将刻蚀槽的药液排到tank，减少药液的挥发。 2.停机后15分钟用水枪冲洗碱槽喷淋及风刀，防止酸碱形成的结晶盐堵塞喷淋口及风刀。 3.停机1小时以上，要在开启机器生产前半小时用水枪冲洗风刀处的滚轮，杜绝做出来的片子有滚轮印！ 后清洗到PECVD的产品时间最长不能超过4小时,时间过长硅片会污染氧化，从 而影响产品的电性能及效率. 刻蚀槽液面的注意事项： 正常情况下液面均处于绿色，如果一旦在流片过程中颜色改变，立即通知工艺人员。 后 清 洗/ 常见故障 原因及解决方法 表面过刻大于 两毫米 a 观察速度是否小于0.7m/min，如果小于此参数，需要添加药 液提高速度。添加时以3升HNO3，1升HF为一个单位进行补液。 水在这台设备中不建议加入。所以补液时需要小剂量进行补液， 否则如果补液过多导致异常，十分麻烦。 b 通知放片时尽量将片子靠近些，降低液面高度，但是需要注意叠片 c 将流量降低，降低液面高度，但是需要观察片子是否能与溶液充分 接触。 d 将窗户打开一些调节排风 e 添加药液调节溶液浓度。 硅片边缘颜色发黑 碱浓度不够，添加碱溶液（单补１L碱） 硅片表面有 大面积黄斑 观察碱槽溶液是否在循环，若没有循环，手动打开循环 非扩散面有 较重滚轮印 a增加流量，但需注意过刻（以一个流量为单位）　　　　　　　　 b通知工艺技术员或工程师添加药液，提高液面 刻蚀深度不稳定 a观察来片是否有异常，或者来片一批中是否是不同晶棒组成，因为 不同的片子会对应不同的刻蚀速率。 b查看溶液颜色，正常的颜色应该是黄色。如果觉得颜色过浅，则流 假片，一般以400片为一个循环。然后测试4片硅片刻蚀深度。 三、前后清洗十项影响效率、 良率(或特定电参数)的原因 A.片源不同 这里提到的片源差异包括多晶硅料的不同（锅底料、边皮料、金属硅、复拉料、重掺杂等等）以及晶体大小不同（微晶片等），对于前清洗，片源不同，腐蚀量、腐蚀速率和形成的绒面结构都会不同，短路电流将受到重大影响，其他电性能也会受到一定程度的影响。后清洗双向切割片的线痕过大会造成过刻等。 预防措施： 1集中投片配合工艺对药液的调节 2每批产品测量刻蚀重量是有超规范 B.药液浓度的稳定性 包括药液补加量的准确程度，药液的挥发，工艺参数的设置等。 预防措施： 1.设备带料不生产时把药液排到TANK槽中 2.控制稳定的温度 3.测量硅片反射率是否超规范 4.每批产品测量刻蚀重量是有超规范 5.希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器 C.温度的波动 温度直接影响片子与药液反应的程度，其波动的大小和波动的周期直接影响批内和批次间腐蚀量和刻蚀量的不同，进而导致电性能的波动。 预防措施： 1.设备定期检查cool是否正常 2.设备端进行温度SPC监控 3.工艺每天检查温度趋势 4.测量硅片反射率是否超规范 5.每批产品测量刻蚀重量是有超规范 D.设备喷淋的异常 喷淋的异常会导致药液残留和一些反应不能正常进行，进而出现脏片。 预防措施： 1.设备每次做完PM时调整好喷淋角度，并用假片检查硅 片是否有脏片。 2.生产每两小时检查设备是否有碎片卡在滚轮中，堵住喷 淋口 3.盖挡板时须轻放，避面挡板打偏喷淋口 4.对于碱槽，当设备待料超过10分钟时必须冲洗喷淋及风刀 E.过刻的异常 后清洗造成过刻，镀膜后黑边，且造成短路，从而影响效率及良率 预防措施： 1.调节排风或降低流量或提高速度 2.设备端安装排风监控表，并每天检查 3.滚轮或槽体挡板变形，需调整滚轮或挡板 4.药液浓度异常，需调节浓度 5.希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器 F.设备滚轮的变形异常 导致碎片、腐蚀不均、过刻、硅片沾不到液等，最终影响效率 预防措施： 1.设备PM时定期检查 2.工艺及时反馈刻蚀状况 G.设备PM彻底性和细化 PM进行的彻底到位可以保证生产的正常进行，如滤芯的清洗，清洗不好，可能导致水不干净，造成水痕脏片等；碎片清理不彻底可能导致碎片流入药液管道造成药液流量降低，滴定阀堵塞漏酸，造成脏片等。