2章 基本放大电路.pptVIP

T↑→IC↑→UE↑ ↘ ↘UD↓ → UB↓↗ UBE ↓ →IC↓ 共射接法 ： e为公共极，iB控制 iC，既实现电流放大又实 现电压放大 共集接法： c为公共极， iB控制 iE，无电压放大 共基接法： b为公共极， iE控制 iC或 iC控制 iE，无电流放大 2.5 晶体管单管放大电路的三种基本接法 2.5.1基本共集放大电路 在直流通路求静态工作点 基本共集放大电路的交流等效电路 求共集放大电路的输出电阻 将输入信号短路，负载开路，由所加的等效输出信号可以求出输出电流可得输出电阻。 共集放大电路也称为射极跟随器，无电压放大能力，但输出电流远大于输入电流，所以仍可实现功率放大。 由于共集放大电路的输入电阻大，输出电阻小，所以常用来实现阻抗转换，输入电阻大，可使流过信号源的电流减小；输出电阻小，即带负载能力强，故常用于多级放大电路的输入级和输出级。 2.5.2 基本共基放大电路 共基放大电路输入电流iE(或iC) ，输出电流iC(或iE)，所以无电流放大能力。但有电压放大能力，可实现功率放大。最大的优点是频带宽常用于无线电通讯等方面。 2.5.3 三种接法的比较 1 共射电路既能放大电流又能放大电压，输出电阻较大，频带较窄。常用于低频电压放大电路的单元电路。 2 共集电路只能放大电流，不能放大电压，电压放大倍数近似为1，具有电压跟随性质。输入电阻最大，输出电阻最小。常用于多级放大电路输入级和输出级。 3 共基电路只能放大电压，不能放大电流，输入电阻小，Au Ro 与共射电路差不多，高频特性好，常用于宽频带放大电路。 Ri 共集共射 共基 Ro 共射=共基 共集 Au 共射 共基 共集 2.6.1 场效应管放大电路的三种接法 2.6 场效应管放大电路 共源放大电路 共漏放大电路 共栅放大电路 MOS管的低频小信号等效模型 通常rds在几千欧到几百千欧，如外电路电阻较小时，可忽略rds 对结型N沟道场效应管 对增强型N沟道MOS管 IDSS：饱和漏极电流 IDO：uGS＝2UGS(th)时的iD 一 基本共源放大电路 N沟道增强型MOS管 2.6.2 场效应管放大电路静态工作点的设置方法及其分析 求解基本共源放大电路的静态工作点 在漏极特性中作负载线 的交点即为Q 由于栅源G-S间是绝缘的 1 图解法 2 公式法 由 基本共源放大电路的交流等效电路 三 基本共漏放大电路 求解基本共漏放大电路的输出电阻 单管放大电路 晶体管组成共射、共集、共基放大电路，共射电路 具有较大电压放大倍数，适中的输入输出电阻，适用于一般放大；共集电路输入电阻大，输出电阻小，Au近似为1，适用于信号跟随；共基电路的输入电阻小，适用于高频放大。 场效应管组成共源、共漏、放大电路与晶体管的共 射、共集电路对应，它们的输入电阻高，噪声系数低，输入方式灵活，而且便于集成，但电压放大倍数比相应的晶体管电路小，还要防止栅源极击穿，目前很多场效应管在制作时在栅源间并联了一个二极管以限制栅源电压的幅值，防止击穿。 2.7 基本放大电路的派生电路 为改进放大电路性能，可用多只晶体管组合在一起构成复合管取代晶体管，也可将不同接法组合起来得到多方面性能俱佳的电路。 复合管的组成： 可用同类型的晶体管组成与它们同类型的复合管，也可用不同类型的晶体管组成复合管，这时复合管的类型要根据具体接法而定。 组成原则： 1 要有正确的外加电压使晶体管(场效应管)正常工作，均工作在放大区(恒流区)，同时每只管子的各极电流均要有合适的通路。 2 为实现电流放大，应将第一只管子的集电极(漏极)或发射极(源极)电流作为第二只管子的基极电流。 晶体管组成的复合管 阻容耦合复合管共射放大电路 本章小结 1 放大：功率放大 (电压、电流放大) 放大电路的组成原则 放大电路的性能指标： Q 放大倍数A、输入电阻Ri、输出电阻Ro、通频带、最大输出功率Pom和效率、最大不失真输出电压Uom、非线性失真系数 2 放大电路的分析方法： 静态：输入信号为0，晶体管和场效应管各电极间的电流与电压就是静态工作点。（静态工作点的稳定） 动态：利用h参数等效电路计算小信号作用时的Au、Ri、Ro 图解法和等效电路法 确定静态工作点、直