直流辉光放电质谱法测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子.pdfVIP

40 (FENXI HUAXUE) 1 第 卷 分析化学 研究报告 第 期 2012 1 Chinese Journal of Analytical Chemistry 66 ～ 7 1 年 月 檵檵檵檵檵檵檵殝 DOI :10． 3724 / SP． J． 1096． 2012 ． 10652 檵 殝 檵 研究报告 檵 殝 檵 殝檵檵檵檵檵檵檵 直流辉光放电质谱法测定 多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子 1 ，2 * 2 3 2 1 刘洁 钱荣 斯琴毕力格 卓尚军 何品刚 1 ( ， 200062) 2 ( ， ， 200050) 华东师范大学 上海 中国科学院上海硅酸盐研究所 上海质谱中心 上海 3 ( ， 201800) 中国科学院上海光学精密机械研究所 上海 摘 要 采用直流辉光放电质谱 (dc-GD-MS)测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子 (RSF)。标样 ， 制作过程中主要是在连续通入氩气条件下将固定量的非标准多晶硅样品熔化 向硅熔体中均匀掺入浓度范 1 ～ 30 g / g ( B P)， ; 围为 ! 的关键杂质元素 如 和 采用快速固化法制成标样 再将制成的标准样品加工成一系列 适合GD-MS 扁平池(Flat Cell)的片状样品(20 mm × 20 mm × 2 mm)。采用二次离子质谱法(SI-MS)对标准样 ， 。 ， 品中关键掺杂元素进行多次定量测定 取平均值作为关键杂质元素的精确含量 优化一系列质谱条件后 运 GD-MS ， ， ， 用 对标样中关键掺杂元素的离子强度进行多次测定 计算平均结果 得到未校正的表观浓度 利用标 准曲线法计算出关键杂质元素的相对灵敏度因子。 ; ; ; 关键词 直流辉光放电质谱 多晶硅 杂质元素 相对灵敏度因子 1 引 言 、 。 ， ， 太阳能是一种清洁 廉价的重要能源 由于化石燃料的短缺 以及化石燃料的使用对环境的污染 。 、 太阳能资源的开发与利用越来越受到重视 多晶硅是太阳能光伏产业最主要 最基础的功能性材 ［1］ ［2］ 。 ， 。 料 随着绿色能源战略的实施 多晶硅市场需求保持持续增长的趋