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沉积在硅油表面上Au 薄膜的电学性能及成膜机理

第 卷 第 期 真 空 科 学 与 技 术 # J 年 、月 ( ) %%# N ’ T!UVVW XUHQYUQ !YZ 6QU[YI\I9. U[HY! #L 沉积在硅油表面上 薄膜的电学性能及成膜机理 ! ! 夏阿根 杨 波 金进生 叶全林 陶向明 叶高翔 (浙江大学物理系 杭州 #$%%’) !#$% ’()*+,-’ *+. (/()%,)*/ 0#0(%,(- #1 23 1,/’- .(0#-,%(. #+ -,/,)#+( #,/ -31*)(- ! , , , , ()* !+,- .*-+ /0 1)- 1)-23,-+ ., 4*-5)- 6*0 ()*-+7)-+ *-8 ., 9*0:)*-+ ( , , , , ) !# $%’( )* +,-./0. 1,2 /$(3 4(/5%./- 6$(37,)8 #$%%’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摘要 采用硅油作基底,沉积出具有网状特征结构的逾渗 薄膜,用四引线方法原位测量 薄膜的电学性能,测得其 ! ! 电阻随沉积时间以及凝聚时间的变化规律,较好地解释了此类薄膜的生长机制。对 薄膜 特性的测量结果表明:生长在 ! ;= 液体基底表面 薄膜的局域隧道电流和跳跃电导效应比一般薄膜更为强烈,其功率谱指数 趋于零,该值远

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