砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能.pdfVIP

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砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能.pdf

第31卷第5期 红外与毫米波学报 V01.31.No.5 2012年10月 Millim.Waves October,2012 J.Infrared 文章编号:1001—9014(2012)05—0403—04 砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能 李海滨1”, 林 春1, 陈兴国1, 魏彦峰1, 徐竟杰1’2, 何 力1 (1.中国科学院上海技术物理所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083; 2.中国科学院研究生院,北京100039) X1的长波红外光电二极管阵列. 摘要:采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5斗m,规格为256 实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6~5.3¨m之 间,而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外 光电二极管阵列,获得了良好的电学性能,该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级,而 一0.5v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为,器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表 面漏电流. 关键词:As掺HgCdT;长波HgCdTe红外光电二极管阵列;伏安特性;表面处理工艺 中图分类号:TN215文献标识码:A Fabricationand of arsenic-doped performances infrared arrays long·wavelengthphotodiode HgCdTe LIHai—Bin 1一,LINChunl,CHEN Yan.Fen91,XUJing—Jel”,HE“ Xing—Gu01,WEI ofTechnical ofInfrared Materialand Institute laboratory Imaging Detectors,Shanghai Physics, (1.Key Chinese of 200083,China; Academy Sciences,Shanghai Schoolof Chinese of 2.Graduate the Academy 100039,China) Sciences,Beijing

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