具有埋界面漏的Trench功率MOSFET研究.pdfVIP

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2015-09-20 发布于湖北
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具有埋界面漏的Trench功率MOSFET研究.pdf

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具有埋界面漏的Trench功率MOSFET研究.pdf

第47卷第12期电力电子技术 V01．47，No．12 2013年12月 PowerElectronics December2013 雷剑梅，胡盛东，金晶晶，朱志 (重庆大学，通信工程学院，重庆400044) 摘要：研究了两种具有埋界面漏的槽型技术(Trench)功率金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)。利用埋于整个界面的漏n+层缩短开态时载流子在高电阻率n-漂移区的运动路径，从而降低器件比导通电阻，缓解功率 MOSFET器件比导通电阻与击穿电压之间的矛盾。详细研究了器件结构参数对比导通电阻和击穿电压的影响。器件1为50～70 v级器件；器件2利用P型硅条增强降低表面电场(RESURF)效应及优化体内电场分布，使得器件性能进一步提高，在133V的击穿电压时获得0．85mn·cm2的低比导通电阻。关键词：金属氧化层半导体场效晶体管；击穿电压：比导通电阻中图分类号：TM43 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2013)12—0003—02 ResearchonTrenchPowerMOSFETWithBuried．interface．drain LEI Zhi Jian—mei，HUSheng—dong，JINJing-jing，ZHU 400044，China) (ChongqingUniversity，Chongqing trench metal—oxide-semiconductorfield—effect buried—interface—drainare Abstract：Two transistors(MOSFET)with power studied．Theburied—interface—drainshortensthe inthe n—drift forthecar- n+region motion—pathhigh—resistanceregion the and exhibitsalower on—resistance．PowerMOSFET’Stradeoffbetweenbreakdown riers，and specific voltagespecif— icon—resistanceisrelieved．Theinfluencesofstructure onthedevice are investigated．Devicel parameters performances is50～70V siliconofdevice2insertedbetweenthen—drift andoxide—filledtrenchleadstoanen— class，p-type region hancedreducedsurface and thedistributionofthebulkelectricfield．Anuhralow field(RESURF)effectoptimizes on—resistanceof0．85mft·cm2isobtainedwithabreakdownof133Vforde