第六章大规模集成电路.pptVIP

1、ROM的结构 输入驱动器：起着缓冲的作用，且生成互补的输入信号。 输出缓冲器：既有缓冲作用，有可以提供不同的 输出结 构，如三态输出、OC输出等。 （1）二极管ROM 1）电路组成：具有两位地址输入码和4位数据输出的ROM 的结构如下图所示。 二极管ROM 2）读操作程序 使三态缓冲器的的/EN=0，从A1A0输入指定的地址码，则由地址所指定的存储单元中存放的数据便出现在输出数据线上。 补充内容： A：存储容量的扩展 （1）位数的扩展 通常RAM芯片的字长多设计成1位、4位、8位等，当实际的存储器系统的字长超过RAM芯片的字长时，需要对RAM实行位扩展。 位扩展可以利用芯片的并联方式实现，即将RAM的地址线、 R//W线和片选信号线对应地并接在一起，而各个片子的输入/输出（I/O）作为字的各个位线。 例2 把1024*4的RAM扩展为1024*8的 RAM 例 把1024*1的RAM芯片扩展成1024*8的RAM。 首先要确定的是需要几片1024*1的RAM。 然后确定怎么连接。 （2）字数的扩展 字数的扩展可以利用外加译码器控制芯片的片选输入端来实现。 例1 将1K*4的RAM芯片扩展为2K*4的存储器系统。 第一片的存储容量为1K*4 地址范围是 A10 A9 A8 A7…A0 0 0 0 000H 0 1 1 3FFH 第二片的存储容量为1K*4 地址范围是 A10 A9 A8 A7…A0 1 0 0 400H 1 1 1 7FFH 例2： 将1K*4的RAM扩展为4K*8的存储器系统。 解：所需的芯片数量为4K*8/1K*4=8片 地址总线为12根，数据总线为8根。 具体连接如下： B、 常用的静态RAM 电路有6116、6264、62128、 62256。 常用的EEPROM存储器有2816、2864、2817。 常用的EPROM存储器有2716、2764。 6116 2864 其中 A0—AI ：地址输入线 O0—O7： 双向三态数据线 /CE ：片选信号输入线 /OE ：读选通信号输入线 /WE ：写允许信号输入线 2 、EPROM 在研制一个数字系统的过程中，用户常常希望能够按照自己的需要对ROM 进行编程，这样的ROM叫做可编程ROM或EPROM。 PROM在出厂时，制作的是一个完整的二极管或三极管存储单元矩阵，相当于所有的存储单元全部存入1。在每个单元的三极管发射极上都接有快速熔丝，它是用低熔点的合金或很细的多晶硅导线制成的。 写操作：在写入数据时，首先应找出要写入0的单元地址，并输入相应的地址码，使相应的字线输出高电平，然后在相应的位线上按规定加入高电压脉冲，使稳压管UZ导通，写入放大器AW的输出呈低电平、低内阻状态，相应存储单元的三极管饱和导通，有较大的脉冲电流流过熔丝，并将其熔断。 读操作： 先读熔丝未熔断的，相应字线为高电平，电路等效为（a）图。 再读熔丝 熔断的，如图（b）。 VCC H H （a） H L （b） 显然，PROM的有关存储单元的数据0一经写好后，就不能作任何更改，所以使用的灵活性受到一定限制。 3 、EPROM：采用浮栅型MOS器件作为存储单元的一个元件，需紫外线照射才能擦除，大概需要10——30分钟，可擦除上万次。 4 、EEPROM：同样采用浮栅工艺，但可利用一定宽度电脉冲擦除。 6.3 可编程逻辑器件 6.3.1概述 自２０世纪６０年代初集成电路诞生以来，经历了SSI 、MSI 、LSI的发展过程，目前已进入了超大规模（VLSI）和甚大规模（ULSI）阶段，数字系统设计技术也随之发生了崭新的变化。 前已指出，数字系统是由许多子系统或逻辑模块构成的。设计者可以根据各模块的功能选择适当的SSI、MSI以及LSI芯片拼接成预定的数字系统，也可把系统的全部或部分模块集成在一个芯片内，称为专用集成电路ASIC。使用ASIC不仅可以极大的减少系统的硬件规模（芯片数、占用的面积及体积等），而且可以降低功好、提高系统的可靠性、必威体育官网网址性及工作速度。 ASIC（Application of special　integrate circuit　）是一种由用户定制的集成电路。又可以分为全定制电路和半定制电路。 全定制电路：制造厂按用户提出的逻辑要求，专门设计和制造的芯片。这类芯片专业性强，适合在大批量定性生产的产品中使用。常用的有电子表机芯、存储器、中央处理器CPU芯片等。 半定制经历了这样两个过程：首先由制造厂制成标准的半成品，然后由制