外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟.pdfVIP

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外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟.pdf

· · 128 材料导报 外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟+ 王全彪1’2,杨瑞东1’2,杨宇1 (1云南大学材料科学与工程系,昆明650091;2红河学院物理系,蒙自661100) 摘要 建立了沿si(100)方向外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟模型,对二维si薄膜的生长过程 及二维si岛的形貌演变进行了研究。结果表明,在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而 升高。以最佳成岛温度生长时,岛密度随覆盖度的增加呈现增加饱和减小的变化规律。在低温和高入射率下,岛 密度随覆盖度单调增加,薄膜呈离散生长。而温度很高和入射率很低时,岛密度始终以很小的数值在小范围内振荡, 薄膜呈紧致生长。 关键词 si薄膜生长动力学蒙特卡罗岛密度 KineticMonteCarlo of Growthon Homoepitaxial InvestigationSubmonolayer WANG Yul Quanbia01¨。YANGRuidon91“,YANG (1 ofMaterialScienceand 650091; Department Engineering,YunnanUniversity,Kunming 2 of 661100) DepartmentPhysics,HongheUniversity,Mengzi AbstractTheinitial of arestudiedKineticMonte stages using Si(100)homoepitaxy isan ata rateandthis tion.Theresultsrevealthatthere deposition temperature optimumislandingtemperaturegiven issaturateanddecreasesat increaseswiththeincreaseof rate.Theislands increasesatfirst,then deposition density withtheincreaseof the island last islandingtemperature.Withcoverageincreasing,the coverage(0~0.3)atoptimum itis lowandfluctu— increases

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