FLASH ROM 28F256和29C256的14 MeV中子辐照实验研究.pdfVIP

第 卷 第 期 核电子学与探测技术 ytc V 2 3 t . 2 222 年 0 月 3 Nuclea rclueatOnui S leluentO DluTOtcthg .ea V 222 FLAS HRO M2M85 和 M69 M85 的 Cl O4e 中子辐照实验研究 ， M M M 贺朝会 ，陈晓华 ，李国政 ，刘恩科 ， M M M M 王燕萍 ，姬林 ，耿斌 ，杨海亮 M （西北核技术研究所，西安 -1 信箱，西安 6M 227 ； 西安交通大学微电子工程系，西安 6M 2271 ） 摘要 ：给出了国内首次 FLAS HR. 器件的中子辐照效应实验研究结果。发现 0 8- 和 15 8- 器件 的 中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应，它只有“ ” “ ”错误。错误发生有个中子注量 M 7 .ly 2 M 阈值，当中子注量小于某一个值时，无错误；当中子注量达到一定值时，开始出现错误。随着中子注量的增 加，错误数增加，直到所有“ ”变为“ ”。动态监测和静态加电的器件都出现硬错误，不能用编程器重新写入数 2 M 据。错误随读取次数的增加而增加。在相同的中子注量下，不加电的器件无错误，而加电的器件都出现错误， 并且出现不确定性错误。 关键词： ； 中子；单粒子效应；总剂量效应 FLAS HR. M 7 .ly 中图分类号： 文献标识码 ： 文章编号： （ ） DF11 D3 76 L 280 9 2107 222 29 2M M 8 9 28 V 引言 FLAS HR. 以其快速电可擦除和 电可编程特性，已广泛用于空间飞行器的电子系统。 中子辐射会使其存贮的数据出错，有可能导致灾难性事故。因此，必须开展 FLAS HR. 的 中子辐照效应研究，它是提高空间飞行器的电子系统可靠性的根本途径。国内还没有人做过 这方面的研究，国外只见文献［］做过 的重离子辐照实验的报道。 M FLAS HR. C FLAS HRO 的结构及存贮原理 ［］ 存贮单元的基本结构如图 所示 。它有两个栅：一个控制栅和一个位于 FLAS HR. M 沟道和控制栅之间的浮栅，其结构类似于 rrCHR.。但沟道和浮栅之间的氧化层更薄，电子 可以通过 P3 隧道效应或热电子注入机制在浮栅和源区或沟道之间传输。根据浮栅的带电 状态，存贮单元成为耗尽型或增强型的晶体管。对于控制栅上的一定电压，晶体管就处于截 止和导通状态，对应于存贮信息“ ”或“ ”。一般情况下， 写入信息前，浮栅上无 2 M FLAS HR. 电子，晶体管导通，表示存“ ”。写入信息的过程就是使 电子注入浮栅，晶体管截止，表示存 M “ ”。为了减少读写时间，实现电可擦除和电可编程特性，大部分