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PECVD法制备硅太阳电池SiN薄膜工艺研究进展.pdf
2009 年 6 月 云 南 冶 金 Jun. 2009 第 38卷第 3 期 (总第 2 16期 ) YUNNAN M ETALLUR GY Vol38. No3 ( Sum 2 16) PECVD 法制备硅太阳电池 SiN 薄膜工艺研究进展 1, 2 1 2 , 1 1 冯炜光 , 刘 翔 , 储清梅 , 张鹏翔 ( 1. 昆明理工大学光电子新材料研究所 , 云南 昆明 65003 1 2. 昆明理工大学真空冶金及材料研究所 , 云南 昆明 650093) 摘 要 : 由于 SiN 薄膜具有 SiO 、TiO 等薄膜无法相比的优点 , 越来越广泛地用做硅太阳电池减反射薄膜 , 2 2 对其制备工艺研究更深入 。在总结最近的研究状况的基础上 , 提出了 PECVD ( P la sm a enhanced chem istry vapor depo sition) 制备 SiN 薄膜的最佳工艺条件 : 衬衣温度在 360 ℃左右 , 射频频率为 1356 MHz, 射频功率最好在 30 ～20W 的范围, [ SiH4 ∶N2 ] / [NH3 ] 的最佳流速比在 4 ～7 之间 , 退火温度 350 ～400 ℃最合适 , 退火时间 10 s 到 10 m in。此外 , 在总结前人研究的基础上认为 SiN 薄膜中嵌入 Si- nc s将会是提高太阳电池效率的一个方向, 还 有待于进一步研究。 关键词 : 太阳电池 ; PECVD ; SiN 薄膜 中图分类号 : TN 文献标识码 : A 文章编号 : 1006 - 0308 (2009) 03 - 0036 - 04 O verv iew on S i N Th in F il m Prepared by PECVD for S ilicon Solar Cell FEN G W ei - guang, L IU X iang, CHU Q ing - m ei, ZHAN G Peng - xiang ( 1. In stitu te of A dvanced M aterials for Photoelectron ic s, KMU ST, Kunm ing, Yunnan 65003 1, Ch ina; 2. R e search In stitu te of V acuum M etallu rgy and M aterials of KMU ST,
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