LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管.pdfVIP

　第 19 卷第 9 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 9　 V o l N o 　1998 年 9 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Sep. , 1998　 - 制备 高亮度 L P MOCVD A lGa InP 橙黄色发光二极管 王国宏　马骁宇　曹　青　张玉芳　王树堂　李玉璋　陈良惠 ( 中国科学院半导体研究所　光电子器件国家工程研究中心　北京　100083) 摘要　利用 外延生长 结构橙黄色发光二极管. 引入厚层 L P M OCVD A lGa InP DH A l0. 7 Ga0. 3 电流扩展层和 分布布拉格反射器( ). 20 工作条件下, 工作电压 A s A l Ga A s A lA s DBR mA 0. 5 0. 5 19 , 发光波长峰值在 605 , 峰值半宽为 183 , 管芯平均亮度达到20 , 最大 29 4 , V nm nm m cd m cd ( ) 透明封装成视角 2 15°的 灯亮度达到 1 . L ED cd 12 : 4255 , 4260 , 6865, 7230 PACC P D 1　引言 ( ) 可与 GaA s 衬底晶格匹配的A lGa InP 系材料具有较宽的直接带隙 19～ 2 3eV , 可实 现从红色到绿色的各种波长, 特别在橙、黄波段发光效率很高, 是制备橙、黄光发光二极管的 [ 1 ] 最佳材料 . 以日本东芝公司为代表的一些国际大公司利用 技术研制了亮度 L P M OCVD ( ) ( ) [ 2 ] 大于 1cd 的从橙色 630nm 到绿色 570nm A lGa InP L ED 并实现商品化. 国内对A lGa InP L ED 的研究尚处起步阶段无商品化产品, L ED 厂家靠进口管芯进行后道封装. 我们利