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浙江光普能源有限公司 多晶硅片生产工艺介绍 目录 一、光伏产业链 二、多晶硅片生产流程 三、半导体和硅材料 四、多晶硅片生产技术指标（简介） 2.2多晶切片生产流程 三、半导体和硅材料 硅材料的一些技术参数 5.杂质控制：在铸造多晶过程中，包括原料状况、多晶炉热场材料等往往会带来大块的杂质，这些杂质的存在会严重影响后续切片的效果，而且夹杂的硅片光电转换效率特别低，一般有杂质的硅块直接去除。多晶硅块检测要求无杂质。6.多晶硅片标准尺寸：156*156mm（8寸）7.多晶硅片标准厚度：200±20 μm8.硅片缺陷：隐裂、裂纹、线痕、崩边、缺口长度、深度等要求（详见《多晶硅片检验标准》） 谢 谢！ * * 多晶硅片生产技术部 一、光伏产业链 “晶体硅原料生产”+“硅棒/硅锭生产”为光伏产业链上游；“太阳能电池制造”+“组件生产”+“光伏产品生产”为光伏产业链中游；“光伏发电系统”为光伏产业链下游。 二、多晶硅片生产流程 多晶硅片的生产流程包括：多晶原料清洗、检测→坩埚喷涂→多晶铸锭→硅锭剖方→ 硅块检验→去头尾→磨面、倒角→粘胶→切片→硅片脱胶→硅片清洗→硅片检验→硅片包装→硅片入库 2.1多晶铸锭生产流程 热流方向 硅溶液 热交换台 加热器 长晶方向 公司铸锭用多晶炉为JJL500型多晶炉，一次装载量在500KG，硅料在高温下加热熔化。长晶过程中，通过伺服控制器控制热交换台的上升、下降以达到长晶的目的。长晶的方向为向上生长，热流方向向下，如右图所示。 硅锭经剖方后进行少子寿命、电阻率、杂质等的检测，如左图所示，为硅块的少子寿命截面图。 去头尾：将硅块的头部和尾部去除 配置砂浆：砂浆是为开方和切片用的 切片：用WIRESAW将硅块切割成硅片（wafer） 粘胶：将硅块粘接在晶托上，为切片做准备。 切割后多晶硅片 张家港超声清洗设备 多晶硅片 硅片脱胶机、硅片清洗机 硅片清洗 瑞士HCT、MB，日本NTC，德国KUKA 多晶硅片 切片机 切片 无锡上机、上海日进 小硅块 截断机 去头尾 Semilab(施美乐伯）设备系列（WT-2000D、IRB50) 划线后硅块 少子寿命检测仪、杂质探伤仪、碳氧含量检测仪 硅块检验 HCT、上海日进 多晶硅块 剖方机 硅锭剖方 美国GT、德国ALD、绍兴精工 多晶硅锭 多晶铸锭炉 多晶铸锭 　 喷涂后坩埚 喷涂站、坩埚烘箱 坩埚喷涂 张家港超声清洗设备 多晶原料（原生硅、循环料） 硅料酸洗、碱洗机、硅料烘箱 原料清洗 业内主流设备 产品 使用设备 主要工序 多晶硅片生产设备一览 公司设备图片 硅料清洗机 坩埚烘箱 喷涂台 坩埚旋转台 多晶铸锭炉 上海日进截断机 无锡上机截断机 剖方机 红外杂质探伤仪IRB50 切片机 硅片清洗机 少子寿命检测仪WT-2000D 3.1什么是“半导体材料” 材料按照导电的能力来划分可以分为： 导体 ——金属等 绝缘体——橡胶，塑料等 半导体——硅，锗等等 半导体材料是介于导体与绝缘体之间的，导电能力一般的导体。它的显著特点是对温度、杂质和光照等外界作用十分的敏感。 半导体材料的内部结构 半导体材料之所以具有介于导体与绝缘体之间的性质，一部分原因是因为它的特殊的结构。 科学分析表明，硅原子是按照金刚石结构的形式占据空间位置（晶格）。 金刚石结构的排列特点是： 晶格立方格子的8个顶点有一个原子 晶格6个面的中心各有一个原子 晶格的4个对角线离顶点的1/4处各有一个原子 金刚石结构 晶体的能带 导体存在一个电子不能填满的导带，故能导电。金属导体的电阻率约为108～10－6欧姆·米 ； 绝缘体只有满带和空带，没有导带，且禁带很大（3－6 eV） ，故不能导电。绝缘体的电阻率约为108～1020欧姆·米 ； 半导体只有满带和空带，但禁带很小（0.1－2eV），满带中的电子可以在光、热、电作用下进入空带，形成导带。电阻率约为10－8～107欧姆·米。 本征半导体和杂质半导体 纯净半导体又叫本征半导体，就是指晶体中除了本身原子外，没有其他杂质原子存在。 假如在本征半导体中掺入杂质，使其产生载流子以增加半导体的导电能力，这种半导体称为杂质半导体。 n型和p型半导体 杂质半导体中以电子导电为主的称为n (negative)型半导体(硅掺磷、砷等Ⅴ族元素)，以空穴导电为主的称为p (positive)型半导体(硅掺硼、镓等Ⅲ族元素) 。 半导体的性质 电阻率随温度的增加而减小（称为负温度系数） 微量的杂质对半导体的导电性能有很大的影响 光照