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on-Chip SRAM内建自测试及其算法的研究.pdf
16 数 字 通 信 第41卷 即使这些存储单元外围电路可以按照随机逻辑 UaIa DIItil :==: … 来处理,但是 MBIST测试只能通过存储单元来观 测,所以,这些存储阵列周边的电路故障可以等效到 存储阵列的故障模型。 2.3 存储器周边 BIST电路故障 由于工艺、电压、温度等条件的特殊限制,以及 用户对芯片面积、性能的特殊要求,BIST电路延时 CheckerbOard Row Bar” 与电路面积需要进行协调,因为,放宽延时意味着需 要增加BIST电路面积,从而增加了芯片面积,减少 图5 棋盘算法与整排算法 了产品的利润,但是延时过小又容易导致无法抓到 Mrach算法是当今最流行的存储器测试算法之 想要的数据,导致 BIST电路出现故障。 一 , 它具有时间复杂度低、故障覆盖率高的优点。 3 on—ChipSRAM 测试算法 March算法包含一组 March元素,每个元素由地址 顺序、读写操作和数据组成。通过对地址的不断变 3.1 传统的测试算法 化和读写存储单元,来检测不同的故障类型,使得 所谓的存储器测试算法,就是通过算法生成模 March算法衍生出很多版本 (每个版本的March算 块产生的一个有序的读写操作序列。 法因其元素的不同而不同)。Mrach元素的符号表 存储器的测试算法种类繁多,没有一种算法能 达如表 1所示。 够检测出所有的故障,并且对于同种故障,各个算法 表 1 March元素的符号表达 R m n w 加 的时间复杂度也相差较大,但他们都有共同的目的, 存储单元读操作 就是用尽可能少的测试向量和时间来检测尽可能多 的故障,达到较高的故障覆盖率 。 从存储单元中读0 在进行 on—ChipSRAM测试时常用 的算法有 从存储单元中读 1 MSCN,Checkerboard,RowBar,GALPAT,Mrach等。 存储单元写操作 1)MSCN。 向存储单元中写0 MSCN是一种最简单的测试算法,又被称为
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