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集成电路连接测试失效原因探讨
李兴鸿赵俊萍李 鑫赵春荣林建京
a匕京微电子技术研究所,北京9243信箱,10(XY76,emaii:]ixh383@sina.com)
摘 要 本文对集成电路连接性测试的失效现象进行了描述,对连接测试失效的原因进行了探讨.指出导
致连接性失效的多种可能原因。
关键词 CMOS集成电路连接测试失效原因
1 CMOS集成电路的连接测试
在CMOS集成电路的测试流程中,一般要先进行连接性测试(也叫连通性测试),以判断集成电路安
装是否正确,键合是否正常。在连接正常情况下再进行其它项目的测试。由于CMOS集成电路在一般情
况下I/O对电源或地通常连有保护二极管(至少可等效为二极管及附属结构),所以可以利用二极管的正
向压降来判断连通性。测试过程是在I/O与电源或地之间加一个小的恒定电流,然后根据测出的电压值来
判断连接是否正常。一般情况下,I/O要对地或对电源进行测试以及电压值的大小和具体的I/O管脚与电
源或地之间的电路结构有关。这样的测试通常会得出I/O端对电源或地的电压在某一合理范围、偏高、偏
低、很高、很低五种结果。
电压值合适表明连接正常。其它状态都不正常,测试结果为失效。
对其它不正常状态,首先要对电路的110结构进行简单复查,检查是否是设置有误,比如假若输入端
对电源没有设计二极管保护结构,在输入和电源之间加电流(方向不计)测电压就会出现电压偏高或很高
(绝对值)的情况,貌似开路实际连接正常出现误判。具体情况要根据具体的电路结构来决定,不能简单
地根据经验来判断,要以实际的电路结构推算的为准。对与电路结构相关的测试结果的异常只要警惕还是
能很快判断出是否是测试条件不匹配的。
2连通测试低电压现象
在连接测试的过程中,我们也发现了一些不容易理解的失效模式。典型的就是连接测试时I/O对地有
时出现低电压(几十毫伏)的现象,表面上看像对地短路。我们对I/O结构进行了分析,正常情况下不应
该出现这种现象。
例如,在某FPGA的三温测试中我们发现,有时I/O端会出现对地短路的现象。
我们首先对失效电路在测试设备上进行复测,证实有对地短路情况。·
对测试数据进行分析,发现在接触测试时有的管脚的电压值非常高,例如加一100uA电流测试时,配
置电路接触测试的电压可高达一8V以上。在此时,FPGA主电路的某些管脚呈现一25mV到一70mV之间
的低电压,测试数据见表l,类似于其它ASIC的管脚对地短路的现象。
对这些电路用晶体管特性图示仪在低电压下进行管脚对地的I—V特性测试,发现I—v特性正常,有
截至区,并未出现短路现象。
测试设备上测试的结果与半导体参数测试仪测试的结果相反。
114
表1连接测试失效数据
连接测试条件:下限:一1.2V;上限:-200mV:施加电流:一lOOuA
序号 测试结果 测试程序名称 管脚 测试通道 实测值
O 眦 Con..neg PAo 355 -8.2048V
9 眦 Con_.neg PA9 367 -8.2127V
57 FA几 Con_neg AH4 306 -25.5194mV
99 眦 Con..ne$ AA30 238 —170.2362mV
106 FAIL Con__ne$ 嗡 317 -33.2497mV
126 nUL Con_ne$ AJl 3ll -,b.5907mV
146 FAIL Con_neg H33 328 -37.5704mV
样品开封后显微镜观察压焊丝和芯片表面情况正常,并未见烧毁或芯片表面的其它缺陷。
3连通测试低电压失效原因分析
首先,经过反复核对,确认测试设备的测试结果和管脚对地的I—V特性测试结果都正确。只是两个
结果从表面来看是矛盾的
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