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第36卷，增刊 红外与激光工程 2007年6月
磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究
2
戴君1,2，王兴治1，何少伟1一，马宏1，易新建11
(1．华中科技大学光电子科学与工程学院，湖北武汉430074
2．武汉光电国家实验室，湖北武汉430074)
摘要l用直流磁控溅射法在相对较低温度220℃下制备出电阻温度系数(TCR)为一1．9％，℃
的vO，薄膜。通过XRD、AFM、红外透过测试方法对薄膜的形貌、组分及其红外吸收性能进行分
析，结果表明该vQ薄膜非常适合用作非制冷红外探测器热敏材料．与传统的工艺相比，由于该薄
膜淀积过程无需高温退火，在后期的红外焦平面制作过程中，可以较好地保护红外焦平面阵列的
CMOS电路。
关键词z氧化钒薄膜； 非制冷红外探测器； 磁控溅射
中图分类号：TN215；0484．1文献标识码t
of vanadiumoxidethinfilms
Studyfabricating by
method
magnetronsputtered
DAI
r1．8chool
ofOptoeleetmnicSew．nee＆Engineer,HuazhongUniversity
optodeetronicstWdlau430074．Cl血a)
filmswiththeTCRof一1．9％，℃werefabricatedbvDC
Abstract：Vanadiumoxide magnetron
methodata low of220℃．Thesurface andIR
temperature morphology,component
sputtered relatively
werestudied force diffraction
absoiption byAFM(atomic
microscopy)，Ⅺm(X-ray
fllIllS for
infraredtransmission msultsshowthat山e areasuitableCalldidate
paUem，respectively．The Vq
to need in
tmcooledbolometer traditional methodnotanneal
detectors．Comparedcraft,this relativelyhigh
theClVlOScircuitofinfraxedfocusflane couldbe inthismeo／1s．
temperature．So arrays protected
words：Vanadiumoxide bolometric
films；Uncooleddete
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