磁控溅射制备硅铝阻隔膜地研究.pdfVIP

下载本文档

24
0
约1.11万字
约 3页
2017-08-19 发布于安徽
举报
版权申诉

磁控溅射制备硅铝阻隔膜地研究.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

V01．28No．82007．08 包装工程PACKAGINGENGINEERING 磁控溅射制备硅铝阻隔膜的研究霍纯青，陈强，孙运金，岳蕾，张跃飞。刘福平 (北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室。北京102600) 摘要：采用磁控溅射技术以10％Si一90％AI合金为靶材，通入02将si氧化成si02，A1氧化成 A1203，在普通PET薄膜表面制备具有高阻隔一】生无机阻隔薄膜屡，以增加其阻隔性。侍统的磁控溅射法制备Si02膜工艺，大多采用射频溅射法，但其成本较高．效率较低，无法充分满足太面积工业化镀膜生产的需要。而采用10％Si一90％A1舍金不仅可以实现直流溅射工艺。而且测量结果表明．薄膜的阻隔一眭得到大幅度提高。关键词：直流反应磁控溅射；Si02-A120，薄膜；阻隔性 ofDC Si·AJ for BarrierFilms Study Magnetron SputteringAlloyHigh HU0 Chun—qing．CHENQk嘴。SUNYua-jin，YUELei。ZHANGYue-fet．uUFu-ping of Institute (Beijing GraphicCommunication．Beijing102600。China) to a$i-AI for Abstract：TheD(：magnetron alloytorg=et sputteringmethodⅢadoptedsputter high of for bal时er 011PETsurface．Itiswellknownthat Si02·Ak03layer inorganicSi02layer properties pI删“g RF shallbe in Buta andlow mk∞it magnetronsputteringemployedgeneral longdepositionperied efficacy for in filmsandindustriMizedduetoeconomicalrm∞n．Witllsi．^J impossible large coating application alloy itnow for barrier inPETfilm basedoiltheresults becomes inDC target possiblehigll properties sputtering obtainedinour experiments．