热丝化学气相沉积法制备金刚石薄膜的生长取向与内应力研究.pdfVIP

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2017-08-20 发布于安徽
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热丝化学气相沉积法制备金刚石薄膜的生长取向与内应力研究.pdf

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热丝化学气相沉积法制备金刚石薄膜的生长取向及内应力研究／邢文娟等 ·305· 热丝化学气相沉积法制备金刚石薄膜的生长取向及内应力研究4 邢文娟，汪建华，王传新 (武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室，武汉430073) 摘要采用热丝化学气相沉积法在YG6硬质合金基体上制备出了金刚石薄膜，研究了基片与热丝间的距离以及负偏压对金刚石薄膜的生长取向和内应力的影响。采用扫描电子显微镜对沉积得到的金刚石薄膜的生长取向进行了表征，利用激光Raman光谱对金刚石薄膜的内应力进行了计算。结果表明：当基片与热丝间的距离保持在4．O～ 8．5mm，基体温度保持在750～800℃时，沉积出的金刚石膜表面晶形主要为(111)面，其内应力随着距离的增加而逐渐减小，在8．0mm时为最小；但是当基底温度高于800*C时，内应力就会随着温度的升高而增加；最终结果导致膜基附着力减弱。关键词热丝化学气相沉积金刚石薄膜薄膜生长取向内应力 Film ofDiamond ofInternalStressand Growth Films Study by HotFilamentChemical VaporDeposition XING Chuanxin Jianhua，WANG Wenjuan，WANG ofPlasma andAdvanced (ProvincialKeyLaboratoryChemistry Materials， WuhanInstituteof Technology，Wuhan430073) AbstractDiamondfilmsare on carbideYG6hotfilamentchemical is tungsten by vapordeposition．Astudy deposited oneffectofthe orientationandinternalstressindiamond areaffectedthedistancebetween presented growth coatings，whichby hotfilamentand resultsshowthatwhenthedistancebetweenthesubstrateandhotfila— substrate，and negativebia—voltage．The ment from4．0mmto ofdiamondfilms 1 orientation．Theinternalstress 8．5mm，the mainly a(11)face ranges morphology display reduces with distance．andthelowestintemals