AlGaN基日盲型紫外探测器的研制.pdfVIP

第十五届全国化合物半罩·体．微波器件平，光电嗣l件掌术会议 P039 AI GaN基日盲型紫外探测器的研制 尹顺政，李献杰，蔡道民刘波冯志宏 (中电集团第{。二研究所，石家庄050051) 摘要：采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了高锅组分AIGaN材料，研制}}j日自型AIGaNPIN紫外探测器。介绍了器件 的制备工艺．并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明：器什的正向开启电压约为4．6v，零偏动态电阻约为10”～10”o： 常温F，该器件在10V反向偏压F的暗电流约为15nA，响应峰值波长为275rtm，Et盲区／可见盲区响应比接近103。 关键词：日盲，紫外探测器，A1GaN，刻蚀 中图分类号：TN312．4 文献标识码： 文章编号 SoI ar-bl i ndUI i I SBasedonAI GaN trayoetDetector Li，DaominCai，Bo ShunzhengYin，Xianjie Liu，ZhihongFeng (The13”ResearchInstitute 050051，China) OfCETC，Shijiazhuang contentAIGaNwas basedsolar-blindPINUV Abstract：HiIghAI grownOn(0001)sapphiresubstratebyMoCVD，andAIGaN Was fabrication ofthedeviceWasintroducedindetail．The characteristicsand photodetectordeveloped．Theprocessing current—voltage ofthediodesweremeasuredtocharacterizetheir resultsshowthatits spectralresponsivity performance．Measurement optoelectronic 111111-011 isabout4．6V．thedarkcurrentisabout15nAat·10Vbias is voltage peakresponsivitywavelength275nm,and voltage；the ratioofUVC／UVBisabout103． rejection Keywords：solar-blind；ultraviolet detector；AIGaN；etching； EEACC：4250 光伏型两大类，光导型一般响应速度较慢， 1引言 暗电流大，长波段容易出现假信号，而光 近年来，紫外探测技术得到了长足进 伏型器件已被证明具有响应速率高，低漏 步，在紫外天文学，气体探测与分析，天 电流，紫外线和可见光吸收比高等优点。 际通信，紫外线制导、告警等方面的应用 这里研制了一种A1GaN摹目盲型紫外探测 也日益广泛【I引。与此同时，传统的紫外探 器，并就工艺