72-7本章小结828.pptVIP

§2-7 本章小结 光学曝光方法及比较 1.1 方法概述 1.2 各种照明系统的光学曝光方法比较 1.3 各种获得抗蚀剂图形的途径和图形检验方法 2.1 分步（步进）扫描投影曝光系统（Step and Scan System） 分步扫描投影曝光原理 原理：将掩模与工作台以及光掩模缩小倍率相同的速度比做相对运动，通过一个细长的照明/投影狭缝，掩模图形经扫描曝光成像在硅片上。 技术难点：掩模和工作台在6个自由度方向进行同步控制，以保证套刻精度。 分步扫描原理图 优点：是集分步、重复投影曝光机高分辨率和扫描投影曝光机大视场、高效的优点为一身的新一代曝光机。 分步投影曝光机厂家 日本：Nikon Conon 荷兰：Asml 美国: SVGL、Ultratech Stepper 2.2 浸没投影曝光系统 原理：Wmin=K1λ/nsinθ 当减小sinθ在可以保证分辨率情况下产生更大的焦深；增大n，保证nsinθ不变，则焦深不变，而分辨率又有所提高。 浸没光刻成像原理示意图： 高折射率、汽体 液体注入与除去 D=1.47时NA可达1.2 2.3 248和193nm技术扫描曝光折射和反射式两种系统透镜关键参数比较： 世界著名品牌光刻机表： 2.4 国外生产光刻机公司 日本：Nikon NSR 系列产品（NSR1010、1505、1755、2005、2205）；g、I线和KrF三种波长；10X 5X 4X三种倍率；步进重复和步进扫描两种曝光方式；年销量900台（世界第一位） Canon世界第二位。PLA步进式、MPA 倍扫式、投影式和FLA步进缩小投影式三大系列，FLA3000、5000、6000（世界第三位） 荷兰-ASML：PAS三大系列：g线（PAS2500、5000）i线（PAS5500） * * 2 行内信息： 分步重复缩小投影曝光 （DSW——Direct Step an the Wafer） 其意是在硅片上直接分步形成图形。（书P23—P25） 占90%,其中Nikon占40% 下一节 此节结束，按此按钮到下一节?