半导体的导电特性.ppt

1.输入特性特点:非线性死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。正常工作时发射结电压：NPN型硅管UBE?0.6~0.7VPNP型锗管UBE??0.2~?0.3VIB(?A)UBE(V)204060800.40.8UCE?1VO第30页，共51页，星期日，2025年，2月5日2.输出特性IB=020?A40?A60?A80?A100?A36IC(mA)1234UCE(V)912O放大区输出特性曲线通常分三个工作区：(1)放大区在放大区有IC=?IB，也称为线性区，具有恒流特性。在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。第31页，共51页，星期日，2025年，2月5日IB=020?A40?A60?A80?A100?A36IC(mA)1234UCE(V)912O（2）截止区IB0以下区域为截止区，有IC?0。在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。饱和区截止区（3）饱和区当UCE?UBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，?IB?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。深度饱和时，硅管UCES?0.3V，锗管UCES?0.1V。第32页，共51页，星期日，2025年，2月5日5.3.4主要参数1.电流放大系数，?直流电流放大系数交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时，表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。注意：和?的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的?值在20~200之间。第33页，共51页，星期日，2025年，2月5日例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40?A,IC=1.5mA；在Q2点IB=60?A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：?=。IB=020?A40?A60?A80?A100?A36IC(mA)1234UCE(V)9120Q1Q2在Q1点，有由Q1和Q2点，得第34页，共51页，星期日，2025年，2月5日2.集-基极反向截止电流ICBOICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。温度??ICBO?ICBO?A+–EC3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO?AICEOIB=0+–ICEO受温度的影响大。温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。第35页，共51页，星期日，2025年，2月5日4.集电极最大允许电流ICM5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。当集—射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。6.集电极最大允许耗散功耗PCMPCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。PC?PCM=ICUCE硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。第36页，共51页，星期日，2025年，2月5日第1页，共51页，星期日，2025年，2月5日5.1半导体的导电特性半导体的导电特性：(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强第2页，共51页，星期日，2025年，2月5日5.1.1本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。SiSiSiSi价电子第3页，共51页，星期日，2025年，2月5日SiSiSiSi