共沉淀法制备花状氧化锌纳米棒及其气敏性能研究：原理、工艺与应用.docx

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2025-10-16 发布于上海
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共沉淀法制备花状氧化锌纳米棒及其气敏性能研究：原理、工艺与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

氧化锌（ZnO）作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，具有独特的物理和化学性质。由于其具备成本低、制备工艺简单、易于微型化等优势，在众多领域展现出了巨大的应用潜力。纳米氧化锌更是因其纳米级别的尺寸效应，拥有较大的比表面积和高度可调的形态结构，进一步增强了其在气敏、光催化、太阳能电池等领域的应用性能。

在纳米氧化锌的众多结构中，花状氧化锌纳米棒结构脱颖而出。这种独特的结构由纳米棒组装而成，形成了类似于花朵的形貌，拥有较大的内部表面