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深亚微米芯片设计中电源完整性的关键问题与优化策略探究
一、绪论
1.1研究背景与意义
随着信息技术的飞速发展,芯片作为现代电子系统的核心部件,其性能和集成度不断提升。在芯片设计技术的持续演进历程中,深亚微米技术的出现无疑是一个具有里程碑意义的重大变革。当半导体工艺的最小特征尺寸小于0.5微米时,便迈入了深亚微米设计技术(DSM:DeepSubMicrometer)阶段。如今,国外商业化半导体芯片制造技术的主流已达到0.25微米、0.18微米的线宽,利用该技术可制作256Mb的DRAM和600MHZ的微处理器芯片,每片上集成的晶体管数在108-109量级,且
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