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半导体装配试题

单项选择题（每题4分，共60分）

1.以下哪种材料是半导体材料中最常用的

A.铜

B.硅

C.铁

D.金

2.在半导体制造中，光刻技术主要用于

A.清洁晶圆

B.沉积金属层

C.制作电路图案

D.封装芯片

3.P型半导体中多数载流子是

A.空穴

B.电子

C.质子

D.中子

4.MOSFET的全称是

A.金属氧化物半导体场效应晶体管

B.双极型晶体管

C.结型场效应晶体管

D.绝缘栅双极晶体管

5.在CMOS电路中，逻辑“0”通常由哪种类型的晶体管导电表示

A.N型MOSFET

B.P型MOSFET

C.两者都导电

D.两者都不导电

6.热氧化法生成二氧化硅层的主要目的是

A.增加导电性

B.作为绝缘层

C.提高机械强度

D.减少热膨胀系数

7.离子注入技术主要用于

A.清洗晶圆

B.掺杂半导体材料

C.制作金属连线

D.封装保护

8.下列哪项不是半导体封装的主要步骤

A.晶圆切割

B.芯片粘贴

C.引线键合

D.化学气相沉积

9.在半导体测试中，ATE代表什么

A.自动测试设备

B.先进测试技术

C.应用测试环境

D.半导体测试专家

10.晶圆上的芯片通过什么过程被分离成单个单元

A.蚀刻

B.离子注入

C.划片

D.氧化

11.下列哪种封装形式常用于微处理器

A.DIP

B.BGA

C.TO-92

D.SOP

12.ESD防护的主要目的是防止什么

A.过热

B.过流

C.静电放电损坏

D.电压波动

13.在CMOS逻辑门电路中，与非门（NAND）和或非门（NOR）被称为

A.基本门电路

B.复合门电路

C.特殊门电路

D.高级门电路

14.半导体生产中，CMP技术是指

A.化学机械抛光

B.化学气相沉积

C.物理气相沉积

D.离子束刻蚀

15.晶圆上的缺陷检测通常使用什么技术

A.光学显微镜

B.电子束扫描

C.X射线衍射

D.红外热成像

多项选择题（每题5分，共50分，多选或少选均不得分）

1.半导体材料的特性包括

A.导电性介于导体和绝缘体之间

B.具有明显的PN结特性

C.热敏性

D.高硬度

2.半导体生产工艺中的关键步骤有

A.氧化

B.光刻

C.蚀刻

D.封装

3.下列哪些是MOSFET的主要优点

A.高输入阻抗

B.低功耗

C.高增益

D.耐高温

4.半导体封装形式中，DIP、SOP和QFP的区别主要在于

A.引脚数量

B.封装尺寸

C.封装材料

D.封装密度

5.在半导体测试阶段，需要测试的参数可能包括

A.功能测试

B.直流参数测试

C.交流参数测试

D.可靠性测试

6.下列哪些是影响半导体器件性能的主要因素

A.温度

B.掺杂浓度

C.封装材料

D.工作电压

7.晶圆制造过程中，常见的污染来源有

A.空气中的微粒

B.化学试剂残留

C.金属离子污染

D.操作人员的手汗

8.半导体