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杰克·基尔比的IC第31页，共49页，星期日，2025年，2月5日????????????????????????????????????????第一个IC第32页，共49页，星期日，2025年，2月5日???????????????????????????????????诺伊斯发明的基于硅的IC第33页，共49页，星期日，2025年，2月5日Intel创始人诺伊思（中）、摩尔（右）第34页，共49页，星期日，2025年，2月5日????????????????????????????????????????第一台集成电路电子计算机IBM360第35页，共49页，星期日，2025年，2月5日第1页，共49页，星期日，2025年，2月5日

1883年，爱迪生为延长白炽灯的寿命，无意中发现了热电子发射现象—爱迪生效应。（1903年，英国理查逊证实了电子的存在，1928年获诺贝尔奖。）1904年，英国弗来明，发明真空二极管。1906年美国德福雷斯特，在二极管阴、阳极之间加入一个栅极，当栅极电压有微小变化时，引起阳极较大的变化。“以小控大”，就是放大。结构为圆筒状。作用如“闸门”。

电子管发明初期，因真空度不够高，寿命短。后来（1910）德国的哥德发明了抽高真空的分子泵，提高了真空度。从三极管发展到四、五、六、七、八极管。从单一管到一、电子管（真空管）第2页，共49页，星期日，2025年，2月5日????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????爱迪生效应第3页，共49页，星期日，2025年，2月5日弗莱明与真空二极管这项发明称为“阀”第4页，共49页，星期日，2025年，2月5日真空二极管（实物）管内存在稀薄的空气，工作时发出蓝色辉光。第5页，共49页，星期日，2025年，2月5日德福雷斯特第6页，共49页，星期日，2025年，2月5日德福雷斯特与肖克莱第7页，共49页，星期日，2025年，2月5日真空三极管阳极A栅极G阴极K灯丝F第8页，共49页，星期日，2025年，2月5日二、三极电子管工作原理阳极阳极UgIa第9页，共49页，星期日，2025年，2月5日????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????真空三极管应用第10页，共49页，星期日，2025年，2月5日第11页，共49页，星期日，2025年，2月5日??????????????????????????????????????????????第一代电子计算机第12页，共49页，星期日，2025年，2月5日二、半导体晶体管

1835年，麦克思发现“不对称导电现象”。1874年，布拉温发现硫化物有单向导电现象。1880年，发明硒整流器。硒（Se）也是半导体。后来发现更多天然或人制矿物有单向导电性。1906年前后，辉铅矿或金刚砂；晶体加金属丝成二极管，用作检波，矿石收音机1940年，人工纯锗、硅晶体出现，晶体二极管应用。第13页，共49页，星期日，2025年，2月5日半导体的三个物理效应，光电导效应、光生伏打效应、整流效应1873年，英国物理学家施密斯发现晶体硒在光照射下电阻变小的半导体光电现象；1877年英国物理学家亚当斯(W.G.Adams)发现晶体硒和金属接触在光照射下产生电动势的半导体光生伏打效应，1906年美国物理学家皮尔士等人发现金属与硅晶体接触能有整流作用的半导体整流效应。

半导体的导电特性：热敏性光敏性掺杂性第14页，共49页，星期日，2025年，2月5日自由电子与空穴SiSiSiSi价电子空穴自由电子第15页，共49页，星期日，2025年，2月5日N型半导体和P型半导体:掺入五价元素P:自由电子数目大量增加，自由电子导电成为主要导电方式，称为N型半导体掺入三价元素B:空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。SiSiSiSip+多余电子磷离子SiSiSiSiB–硼离子空穴第16页，共49页，星期日，2025年，2月5日巴丁、肖克莱、布拉顿1945年开始，贝尔实验室，攻关小组。肖克莱（组长）、巴丁、布拉顿。1947.12.23发现三极管放大作用。1948年专利，1956年诺贝尔奖第17页，共49页，星期日，20