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高考物理复习《交变电流、光》过关检测卷含答案

时间:75分钟满分100分

一、单项选择题：本题共10小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。

1.(2024安徽名校联盟期末)下列说法正确的是()

A.光导纤维束传送信号利用了光的衍射现象

B.在光的双缝干涉实验中,把入射光由红光改为蓝光,条纹间距将变宽

C.潜艇利用声呐探测周围物体的分布情况,其原理是波的衍射

D.用标准平面检查光学表面的平整程度利用了光的干涉现象

2.(2024湘豫名校联考)某同学为了研究长方体铁芯的涡流热功率,制作了如图所示的模型,长方体铁芯用电阻率为ρ的硅钢薄片围成,底面是边长为L的正方形,硅钢薄片的厚度为d,高度为h,其中d?L。沿平行于长方体轴线方向存在磁感应强度B(t)=Bmsinωt的磁场。下列说法正确的是()

A.硅钢薄片中瞬时感应电动势的表达式为e=BmL2sinωt

B.硅钢薄片中感应电动势的有效值E=2

C.硅钢薄片中电流最大值I=B

D.磁场变化的一个周期内通过此硅钢薄片的电荷量一定不为0

3.(2024茂名一模)《史记》中对日晕有“日有晕,谓之日轮”的描述。如图(a)所示,日晕是日光通过卷层云时,受到冰晶的折射或反射而形成的。图(b)为太阳光射到六边形冰晶上发生两次折射的光路图,对于图(b)中出射的单色光a、b,下列说法正确的是()

A.单色光a的折射率比单色光b的折射率大

B.在冰晶中,单色光a的传播速度比单色光b的传播速度大

C.单色光a的频率比单色光b的频率大

D.单色光a的单个光子能量比单色光b的单个光子能量大

4.(2024湖北十一校联考)如图所示,边长为L、匝数为N的正方形线圈abcd,在磁感应强度大小为B的匀强磁场中绕转轴OO转动(转轴OO垂直于磁感线),线圈通过滑环和电刷连接一个含有理想变压器的电路,变压器原、副线圈的匝数分别为n1和n2,电压表可视为理想电表,线圈abcd及导线电阻忽略不计。保持线圈abcd以恒定角速度ω转动,则()

A.从图示位置开始计时,线圈产生感应电动势瞬时值的表达式为e=NBL2ωsinωt

B.通过变压器原、副线圈的电流之比为n1∶n2

C.电压表V2的示数为n

D.若考虑线圈abcd的内阻,当滑动变阻器R的滑片P向下滑动时,电压表V1的示数变小

5.(2024深圳二模)图甲为测量储罐中不导电液体高度的电路,将与储罐外壳绝缘的两块平行金属板构成的电容C置于储罐中,电容C可通过开关S与电感L或电源相连。当开关从a拨到b时,由电感L与电容C构成的回路中产生的振荡电流如图乙所示。在平行板电容器极板面积一定、两极板间距离一定的条件下,下列说法正确的是()

A.储罐内的液面高度降低时,LC回路振荡电流的频率将变小

B.t1~t2内电容器放电

C.t2~t3内LC回路中电场能逐渐转化为磁场能

D.该振荡电流的有效值为2Im

6.(2024山东潍坊一模)制造半导体元件,需要精确测定硅片上涂有的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度,把左侧二氧化硅薄膜腐蚀成如图甲所示的劈尖,用波长λ=630nm的激光从上方照射劈尖(不考虑光在反射过程中的半波损失),观察到在腐蚀区域内有8条暗纹,且斜面转为平面的棱MN处是亮纹,二氧化硅的折射率为1.5,则二氧化硅薄膜的厚度为()

A.1680nmB.1890nm

C.2520nmD.3780nm

7.(2024山东淄博期末)洛埃镜实验可以得到杨氏双缝干涉实验的结果,其实验的基本装置如图所示。S为单色光源,M为一平面镜,S发出的光直接照在光屏上,同时S发出的光还通过平面镜反射到光屏上,最终在光屏上得到明暗相间的干涉条纹。设光源S到平面镜所在平面的距离和到光屏的距离分别为d和L,光的波长为λ,在光屏上形成干涉条纹,则()

A.若将平面镜M右移一小段距离,光屏上的条纹间距变小

B.若将平面镜M右移一小段距离,光屏上的条纹间距变大

C.相邻两条亮条纹(或暗条纹)间的距离Δx=Ld

D.相邻两条亮条纹(或暗条纹)间的距离Δx=L2

8.(2024汕头一模)如图甲所示为远距离输电示意图,变压器均为理想变压器。升压变压器原、副线圈匝数之比为n1∶n2=1∶10,其输入电压如图乙所示,输电功率为200kW,输电线总电阻R线=8Ω,则下列说法正确的是()

A.降压变压器副线圈输出的交流电频率为100Hz

B.升压变压器副线圈的电压有效值为5000V

C.高压输电线上电流有效值为40A

D.高压输电线上损失的电压为3202V

9.(2024湖北武汉调研)