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西安科技大学
2008年入学考试试题（A）
─────────────────────────────────
科目编号：820科目名称：器件
考生须知：
1、答案必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上不给分。
2、答题须用蓝、黑色钢笔或圆珠笔，用铅笔、红色笔者不给分。
3、答题必须写清题号，字迹要清楚，卷面要保持整洁。
4、试题要随答题纸一起交回。
一、单项选择题（每小题1.5分，共15分）
1．在相同的温度下，已知X的禁带宽度比Y的大，如果两种半
导体的本征激发载流子浓度分别是n和n，则（）。
XY
A、nn；B、nn；C、nn；
XYXYXYD、不确定。
2、若在纯硅晶体中，掺入硼和磷两种杂质，如果掺入硼的浓度较小，则这种
是（）。
A、P型；B、N型；
C、本征；D、不确定。
3、在中，能量最低的那个空带，又称为（）。
A、导带B、价带C、禁带D、满带
4、PN结中，内建场的方向是（）。
A、P到N；B、N到P；C、不能确定。
5、晶体管共射电流放大系数随着基区宽度的增加而（）。
A、减小；B、增大；C、不变；D、不能确定。
）。
6、PN结击穿电压随着掺杂浓度的增加而（
A、增、减小；C、不变；D、不能确定。
7、抑制晶体管电流集中二次击穿的有效措施是（）。
A、极串入镇流电阻；B、增加区杂质浓度；
C、减小基区杂质浓度；D、增加集电区杂质浓度；
8、如果N沟耗尽型MOS场效应晶体管的栅源电压为零，当漏源间加上正电
压时，通过漏源的电流（）。
A、为零；B、较大；C、与漏源电压成反比。
9、N沟增强型MOS晶体管的阈值（开启）电压随衬底掺杂浓度的增加而
（）。
A、减小；B、增大；C、不变；D、不能确定。
10、N沟增强型MOS管的工作于饱和区的条件是（
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