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STM32H743存储器系统
1.内存架构概述
STM32H743系列微控制器采用了先进的存储器架构,以满足高性能应用的需求。该系列微控制器的存储器系统包括多个层次的存储器,包括内部闪存(FlashMemory)、内部SRAM、外部存储器接口(FSMC/OSPI)等。这些存储器层次的设计旨在优化系统性能,提高数据访问速度,同时保持低功耗。
1.1内部闪存
内部闪存是STM32H743的主要存储资源之一,用于存储程序代码、常量数据和启动配置。STM32H743通常配备1MB的内部闪存,分为多个块,每个块可以独立擦除和编程。闪存支持高速读取,最高可达到480MHz的读取速度,通过多层缓存机制提高性能。
1.1.1闪存组织
闪存大小:1MB
闪存块:分为多个块,每个块大小不同,通常包括多个128KB的块和几个64KB的块。
闪存接口:通过AXI接口连接到系统总线,支持高速读取和写入。
1.1.2闪存操作
闪存的操作包括读取、编程和擦除。这些操作通常通过闪存访问控制器(FMC)进行管理。以下是闪存编程和擦除的基本步骤:
解锁闪存:在编程或擦除闪存之前,需要解锁闪存保护机制。
擦除闪存:擦除指定的闪存块。
编程闪存:将数据写入指定的闪存地址。
锁定闪存:完成操作后,重新锁定闪存保护机制。
1.2内部SRAM
内部SRAM是STM32H743的高速缓存存储器,用于存储变量、堆栈和缓存数据。STM32H743通常配备512KB的内部SRAM,分为多个区域,每个区域可以独立管理。SRAM支持高速访问,最高可达到480MHz的访问速度。
1.2.1SRAM组织
SRAM大小:512KB
SRAM区域:分为多个区域,包括Tightly-CoupledMemory(TCM)和SystemMemory(SRAM)。
TCM:分为InstructionTCM(ITCM)和DataTCM(DTCM),分别用于存储指令和数据。
SystemMemory:用于存储系统变量、堆栈和其他数据。
1.2.2SRAM操作
SRAM的操作主要是读取和写入数据。由于SRAM的速度非常快,这些操作通常不需要特殊的管理机制。以下是一个简单的SRAM读写示例:
#includestm32h7xx_hal.h
//定义SRAM地址
#defineSRAM_ADDRESS0
voidSRAM_Example(void){
uint32_t*sram_ptr=(uint32_t*)SRAM_ADDRESS;
//写入数据到SRAM
*sram_ptr=0
//读取数据从SRAM
uint32_tdata=*sram_ptr;
//检查读取的数据是否正确
if(data==0{
//数据正确
HAL_GPIO_WritePin(GPIOA,GPIO_PIN_5,GPIO_PIN_SET);//点亮LED
}else{
//数据错误
HAL_GPIO_WritePin(GPIOA,GPIO_PIN_5,GPIO_PIN_RESET);//关闭LED
}
}
1.3外部存储器接口
STM32H743支持多种外部存储器接口,包括FlexibleStaticMemoryController(FSMC)和Octo-SPI(OSPI)。这些接口允许微控制器连接外部的闪存、SRAM、NOR/NAND闪存等存储设备,扩展存储容量和提高数据访问速度。
1.3.1FSMC接口
FSMC接口支持多种外部存储器类型,包括SRAM、PSRAM、NOR闪存和NAND闪存。通过配置FSMC控制器,可以实现对外部存储器的高速访问。
FSMC配置
FSMC控制器的配置包括时序参数、地址映射和数据宽度等。以下是一个简单的FSMC配置示例:
#includestm32h7xx_hal.h
//定义外部SRAM地址
#defineFSMC_SRAM_ADDRESS0
voidFSMC_SRAM_Init(void){
FSMC_NORSRAM_HandleTypeDefhnor;
//FSMCSRAM初始化结构体
hnor.Instance=FSMC_NORSRAM_DEVICE;
hnor.Init.NSB=
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