STMicroelectronics 系列：STM32H743 (基于 Cortex-M7)_（5）.STM32H743存储器系统.docxVIP

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STM32H743存储器系统

1.内存架构概述

STM32H743系列微控制器采用了先进的存储器架构，以满足高性能应用的需求。该系列微控制器的存储器系统包括多个层次的存储器，包括内部闪存（FlashMemory）、内部SRAM、外部存储器接口（FSMC/OSPI）等。这些存储器层次的设计旨在优化系统性能，提高数据访问速度，同时保持低功耗。

1.1内部闪存

内部闪存是STM32H743的主要存储资源之一，用于存储程序代码、常量数据和启动配置。STM32H743通常配备1MB的内部闪存，分为多个块，每个块可以独立擦除和编程。闪存支持高速读取，最高可达到480MHz的读取速度，通过多层缓存机制提高性能。

1.1.1闪存组织

闪存大小：1MB

闪存块：分为多个块，每个块大小不同，通常包括多个128KB的块和几个64KB的块。

闪存接口：通过AXI接口连接到系统总线，支持高速读取和写入。

1.1.2闪存操作

闪存的操作包括读取、编程和擦除。这些操作通常通过闪存访问控制器（FMC）进行管理。以下是闪存编程和擦除的基本步骤：

解锁闪存：在编程或擦除闪存之前，需要解锁闪存保护机制。

擦除闪存：擦除指定的闪存块。

编程闪存：将数据写入指定的闪存地址。

锁定闪存：完成操作后，重新锁定闪存保护机制。

1.2内部SRAM

内部SRAM是STM32H743的高速缓存存储器，用于存储变量、堆栈和缓存数据。STM32H743通常配备512KB的内部SRAM，分为多个区域，每个区域可以独立管理。SRAM支持高速访问，最高可达到480MHz的访问速度。

1.2.1SRAM组织

SRAM大小：512KB

SRAM区域：分为多个区域，包括Tightly-CoupledMemory(TCM)和SystemMemory(SRAM)。

TCM：分为InstructionTCM(ITCM)和DataTCM(DTCM)，分别用于存储指令和数据。

SystemMemory：用于存储系统变量、堆栈和其他数据。

1.2.2SRAM操作

SRAM的操作主要是读取和写入数据。由于SRAM的速度非常快，这些操作通常不需要特殊的管理机制。以下是一个简单的SRAM读写示例：

#includestm32h7xx_hal.h

//定义SRAM地址

#defineSRAM_ADDRESS0

voidSRAM_Example(void){

uint32_t*sram_ptr=(uint32_t*)SRAM_ADDRESS;

//写入数据到SRAM

*sram_ptr=0

//读取数据从SRAM

uint32_tdata=*sram_ptr;

//检查读取的数据是否正确

if(data==0{

//数据正确

HAL_GPIO_WritePin(GPIOA,GPIO_PIN_5,GPIO_PIN_SET);//点亮LED

}else{

//数据错误

HAL_GPIO_WritePin(GPIOA,GPIO_PIN_5,GPIO_PIN_RESET);//关闭LED

}

}

1.3外部存储器接口

STM32H743支持多种外部存储器接口，包括FlexibleStaticMemoryController(FSMC)和Octo-SPI(OSPI)。这些接口允许微控制器连接外部的闪存、SRAM、NOR/NAND闪存等存储设备，扩展存储容量和提高数据访问速度。

1.3.1FSMC接口

FSMC接口支持多种外部存储器类型，包括SRAM、PSRAM、NOR闪存和NAND闪存。通过配置FSMC控制器，可以实现对外部存储器的高速访问。

FSMC配置

FSMC控制器的配置包括时序参数、地址映射和数据宽度等。以下是一个简单的FSMC配置示例：

#includestm32h7xx_hal.h

//定义外部SRAM地址

#defineFSMC_SRAM_ADDRESS0

voidFSMC_SRAM_Init(void){

FSMC_NORSRAM_HandleTypeDefhnor;

//FSMCSRAM初始化结构体

hnor.Instance=FSMC_NORSRAM_DEVICE;

hnor.Init.NSB=