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【甬兴证券-2025研报】存储芯片周度跟踪:DRAM成品高位盘整,H20出口解禁提升HBM需求.pdf

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电子

行业研究/行业周报

证DRAM成品高位盘整,H20出口解禁提升HBM需求

研——存储芯片周度跟踪(2025.07.14-2025.07.18)

报◼核心观点

告NAND:CFM称256Gb及以下容量NANDWafer产出缩减。根据增持(维持)

行DRAMexchange,上周0718)NAND颗粒22个品类现货行业:电子

业价格环比涨跌幅区间为-1.43%至2.36%,平均涨跌幅为0.36%。其中

11个料号价格持平,9个料号价格上涨,2个料号价格下跌。根据日期:yxzqdatemark

研2025年07月21日

究CFM闪存市场报道,随着存储原厂NANDFlash技术不断向更高密

度、更大存储容量的TLC/QLC加速迁移,256Gb及以下容量的分析师:陈宇哲

NAND产出同步大幅收缩,部分产品已逐步进入停产状态。在无其他E-mail:chenyuzhe@yongxings

替代方案情况下,未来将倒逼适用于低容量嵌入式产品的相关应用终

端升级存储配置,以适应供应端的变化。SAC编号:S1760523050001

DRAM:楷登电子称业内首个LPDDR6/5X内存IP系统解决方案完分析师:刘奕司

成流片。根据DRAMexchange,上周0718)DRAM18个

E-mail:liuyisi@yongxingsec.c

品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.82%至3.51%,平均涨跌幅为

om

0.60%。上周13个料号呈上涨趋势,5个料号呈下降趋势,0个料号

SAC编号:S1760525030002

价格持平。根据科创板日报报道,楷登电子(Cadence)宣布,业内

首个LPDDR6/5X内存IP系统解决方案完成流片。据介绍,该解决方联系人:林致

案已经过优化,运行速率高达14.4Gbps,比上一代LPDDRDRAM快E-mail:linzhi@yongxingsec.co

50%;经过扩展之后,AI基础架构可以适应新一代AILLM、代理AIm

及其他垂直领域计算密集型工作负载对于内存带宽和容量的需求。SAC编号:S1760123070001

HBM:TrendForce称英伟达H20出口解禁助力需求释放,带动

行HBM需求同步增加。根据科创板日报报道,TrendForce集邦咨询表

业示,美国有望允许NVIDIA(英伟达)恢复对中国市场销售H20近一年行业与沪深300比较

电子沪深300

周GPU,政策转折将有助带动当地AI与云端业者的需求回补,预期50%

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