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;二、前端工艺（FEOL，FrontEndofLine）1.器件结构制备
阱区注入（WellImplant）
通过离子注入在硅片中形成N阱和P阱，用于隔离丌同类型的晶体管（如NMOS和PMOS）。
注入离子类型：N阱注入磷（P）或砷（As），P阱注入硼（B）。
退火处理：通过高温退火激活注入离子，并修复硅片晶格损伤。
栅极结构形成栅氧化层生长：在有源区表面生长高质量的薄氧化层（栅
氧，约几纳米厚），作为晶体管栅极的绝缘层。多晶硅沉积不刻蚀：沉积多晶硅层作为栅极电极，通过
光刻和刻蚀形成栅极图形。侧墙形成：在栅极两侧沉积氮化硅或氧化硅层，刻蚀后
形成侧墙（S
ERP应用资格证持证人
从事会计行业10多年，从建账、记账、报税、成本核算控制、经营报表管理分析、公司注册变更注销等有着丰富的实战经验，欢迎志同道合的朋友相互交流学习，共同探讨，共同进步。
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