《电工电子 》课件——第五章 晶体二极管及整流电路.pptVIP

第三节滤波电路负载两端电压等于电容器C两端电压，即u0=uC，由于电容器的滤波作用，输出电压的波形如图5-12所示。图5-11单相半波整流电容滤波电路图5-12单相半波整流电容滤波电压波形图一、电容滤波二、电感滤波电路图5-13电感滤波电路利用储能元件电感器L的电流不能突变的特点，在整流电路的负载回路中串联一个电感，使输出电流波形较为平滑。因为电感对直流的阻抗小，交流的阻抗大，因此能够得到较好的滤波效果而直流损失小。电感滤波缺点是体积大,成本高.1.Г型LC滤波器2.Π型LC滤波器3.Π型RC滤波器四、有源滤波由图可见，流过R的电流比负载电流小（1+β）倍，即图5-15三极管有源滤波电路三、复式滤波电路第四节稳压电路图5-16直流稳压电源的结构示意图直流稳压电源，其结构框图如图5-16所示。一、稳压管稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。1.符号及稳压特性利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态（3）动态电阻rZrZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。2.稳压二极管主要参数（1）工作电流IZ最大稳定工作电流IZmax和最小稳定工作电流IZmin（2）稳定电压UZ在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。rZ=?VZ/?IZ二、稳压管并联型稳压电路工作原理：UiU0IZIUR抵消了UiU0近似保持不变UiU0IZIUR补偿了UiU0近似保持不变图5-18稳压管并联型稳压电路设电源电压波动(负载不变)综上所述，硅稳压管稳压电路是通过稳压管中电流的变化，由限流电阻R上的电压来补偿输出电压的变化，以达到稳压的目的。电网电压（即输入电压Ui）不变而负载RL变化时，稳压过程如下：↑→↑→↓→↓↓→↓→↑↓→本章小结一、晶体二极管二、整流电路三、滤波电路四、稳压电路作业P1175-8思考下次课提问第五章晶体二极管及整流电路一、半导体和PN结1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间，称为半体。一般半导体都是晶体结构，所以半导体管又叫做晶体管第一节晶体二极管纯净的不含任何杂质的半导体。如硅、锗单晶体。本征半导体本征半导体导电能力弱，并与温度有关。杂质半导体N型半导体在纯净的硅或锗晶体中掺入少量的5价元素（如磷）。+5+4+4+4+4+4自由电子磷原子N型半导体的特点：①两种载流子中自由电子是多子，空穴是少子；②主要靠自由电子导电。少数载流子多数载流子正离子N型半导体的简化图示P型半导体在纯净的硅或锗晶体中掺入少量的3价元素（如硼）。+3+4+4+4+4+4空穴硼原子P型半导体的特点：①空穴是多子，自由电子是少子；②主要靠空穴导电。负离子少数载流子多数载流子P型半导体的简化图示PN结的形成扩散运动离子电荷区形成内电场建立扩散运动空间电荷区PN结2.PN结当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏。(1)PN结加正向电压时低电阻大的正向扩散电流当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。(2)PN结加反向电压时高电阻很小的反向漂移电流3.PN结单向导电性图5-1PN结结构图5-2PN结单向导电性2．晶体二极管的伏安特性（1）正向特性：相当于一个处于导通状态的开关。（2）反向特性：反向电流很小，可以认为二极管基本上不导通。图5-3二极管的结构示意图和符号图5-4二极管的伏安特性二、晶体二极管1．晶体二极管的结构3．晶体二极管的主要参数（1）最大整流电流IFM2APl最大整流电流为16mA。（2）最高反向工作电压URM2APl最高反向工作电压规定为2OV，而反向击穿电压实际上大于40V。