TQGCML-碳化硅晶圆最终清洗机及编制说明.pdfVIP

ICS点击此处添加ICS号

CCS点击此处添加CCS号

团体标准

T/QGCMLXXXX—XXXX

碳化硅晶圆最终清洗机

Finalcleaningmachineforsiliconcarbidewafers

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

全国城市工业品贸易中心联合会发布

T/QGCMLXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由提出。

本文件由全国城市工业品贸易中心联合会归口。

本文件主要起草单位：

本文件主要起草人：

I

T/QGCMLXXXX—XXXX

碳化硅晶圆最终清洗机

1范围

本标准规定了碳化硅晶圆最终清洗机的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、

运输和贮存。

本标准适用于对碳化硅晶圆进行最终清洗的清洗机设备。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

碳化硅晶圆最终清洗机

用于在碳化硅晶圆制造流程的芯片出厂前，对晶圆表面进行最终清洗，去除微米级颗粒、金属污染、

有机物残留及氧化层，确保器件性能与封装良率的设备。

兆声波清洗

利用MHz级超声的空化效应剥离颗粒，配合流体力学设计（如湍流喷淋）增强冲洗效率的清洗方式。

4技术要求

4.1外观与结构

清洗机外观应整洁，无明显划痕、变形等缺陷。表面涂层应均匀，无剥落、起泡现象。

结构应合理，各部件安装牢固，连接部位密封良好，无泄漏现象。

清洗机的操作面板应布局清晰，标识明确，便于操作人员使用。

4.2清洗性能

颗粒去除率：对于直径≥0.1μm的颗粒，清洗后的碳化硅晶圆表面颗粒残留数应不超过0.1颗/cm²。

金属污染控制：清洗后，碳化硅晶圆表面钠、铝等金属离子污染浓度应不超过1×10⁹atoms/cm²。

有机物残留去除：清洗后，碳化硅晶圆表面有机物残留应符合相关电子工业洁净度标准要求，通过

在线TOC（总有机碳）监测，总有机碳含量应达到规定限值以下。

氧化层去除：应能有效去除碳化硅晶圆表面的原生氧化层（厚度1nm），暴露原子级洁净表面。

4.3清洗方式与工艺

湿法化学清洗：应具备通过酸性或碱性溶液（如DHF、SC-1、SC-2配方）溶解氧化物、金属离子及

有机物的功能，典型工艺包括RCA清洗（氢氧化铵/过氧化氢混合液）。

物理清洗：应采用兆声波清洗技术，兆声波频率应达到1-10MHz，可剥离≤10nm颗粒。同时，应

配合流体力学设计，如湍流喷淋，增强冲洗效率。

纯水冲洗：应采用18.2MΩ·cm超纯水（UPW）去除化学残留，避免二次污染。冲洗过程应能有效去

除晶圆表面的化学清洗液和已溶解的污染物。