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光电子能谱分析;概述——表面分析技术
光电子能谱分析的基本原理
光电子能谱仪
光电子能谱测定技术
光电子能谱分析的应用;
表面
表面分析技术
表面分析得到的信息;表面:
固体最外层的1~10个原子(<10nm)的表面层;
吸附在表面上的原子、分子、离子等其他覆盖层。;表面分析的意义;表面分析技术(SurfaceAnalysis)
是对材料外层(theOuter-MostLayersofMaterials(10nm)研究的技术。;X射线光电子能谱分析(X-rayphotoelectronspectroscopy,XPS)
俄歇电子能谱分析(augerelectronspectroscopy,AES)
紫外光电子能谱分析(ultravioletphotoelectronspectroscopy,UPS)
二次离子质谱分析(secondaryionmassspectrometry,SIMS)
激光微探针质谱分析(lasermicroprobemassspectrometry,LMMS)
电子探针分析(electronmicroprobe,EM);物质表面层的化学成分(除氢元素以外)
物质表面层元素所处的状态
表面层物质的状态
物质表面层的物理性质
;光电效应
光电子能谱分析基本原理
化学位移
伴峰和谱峰分裂;;图5-2原子的去激发过程;根据爱因斯坦光电效应定律,光电效应能量关系可表示:;元素分析鉴定、元素价态分析等。;光电子能谱分析基本原理;;;;内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能,另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。
当外层电子密度减少时,屏蔽作用将减弱,电子的结合能增加;反之则结合能将减少。
因此当被测原子的氧化价态增加,或与电负性大的原子结合时,都导致其XPS峰将向结合能增加的方向位移。;三、伴峰和谱峰分裂;2.谱峰分裂;光电子能谱仪的结构
激发光源
光电子能量分析器
电子检测器
真空系统;XPS的仪器InstrumentationforXPS;电子能谱仪主要由激发光源、光电子能量分析器、探测和记录系统及真空系统等组成。几个部分组成。;XPS的仪器InstrumentationforXPS;电子能谱仪通常采用的激发源有三种:X射线源、真空紫外灯和电子枪。商品谱仪中将这些激发源组装在同一个样品室中,成为一个多种功能的综合能谱仪。;电子能量分析器是探测样品发射出来的不同能量电子的相对强度。
样品在X射线激发下发射出来的电子具有不同的动能,必须把它们按能量大小进行分离。;半球形电子能量分析器;筒镜形电子能量分析器;检测目的——通过计数的方式测量电子的数目
检测器——单通道电子倍增器和多通道倍增器;电子能谱仪的真空系统有两个基本功能。;纵坐标:光电子强度(电子计数)
非导体样品荷电效应及消除
当外层电子密度减少时,屏蔽作用将减弱,电子的结合能增加;
应使真空度保持在10-9~10-16Torr,否则样品表面将有污染。
为了获得光滑表面,样品经研磨后,需除去研磨剂,并保持样品表面清洁,防止油渍污染,以消除附加的C、O等元素峰的影响。
概述——表面分析技术
电中和法、内标法和外标法
金属板一般采用铝板,在HCI溶液中浸蚀2~3min。
hv——入射光辐射能量
光电子能谱分析基本原理
当X射线射向样品,表面不断产生光电子,造成表面电子空穴,使样品带正电。
图5-7光电子能谱仪示意图
X射线光电子能谱图
光电子(从产生处向表面)输运过程中因非弹性散射(损失能量)而产生的能量损失峰;
hv——入射光辐射能量
二是指原子具有不同的价态。;电子能谱仪原则上可以分析固体、气体和液体样品。;一、样品制备;;3.液体与气体样品;二、样品的预处理;三、测定的注意事项;紫外光电子能谱分析(ultravioletphotoelectronspectroscopy,UPS)
为了获得光滑表面,样品经研磨后,需除去研磨剂,并保持样品表面清洁,防止油渍污染,以消除附加的C、O等元素峰的影响。
清洁样品表面,消除污染对测定结果准确度的影响。
物质表面层的化学成分(除氢元素以外)
谱峰分裂——能谱中一个谱峰分裂为两个谱峰的现象。
金属铝Al:在化学上为零价Al0,其2p能级电子结合能为72.
利用已精确测定的标准谱线,把产生此谱线的电子发射源混入被测样品中,或利用同一分子中不同原子发射的谱线。
或者用已知的标准Eb测量出Ek,计算出W′,再用从双光法获得的数据W′,比较两者的数值是否相等即可。
图5-5经不同处理后铝箔表面的Al2p谱图
光电子能谱分析基本原理
X射线的入射窗口器材是
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