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安徽科技学院《单片机原理与应用》2023-2024学年期末模拟试卷

学校：__________姓名：__________班级：__________考号：__________

一、单项选择题

1．若MCS-51单片机的晶振频率为6MHz，定时器/计数器作计数器使用时，其最高的输入计数频率是（）

A.1MHz B.500KHz

C.250KHz D.125KHz

2．MCS-51单片机在正常运行程序时RST/VPD引脚应为()

A.高电平 B.低电平

C.脉冲输入 D.高阻态

3.8051单片机有________中断源。()

A.3个 B.4个

C.5个 D.6个

3．若PSW.4=0，PSW.3=1，现在需要保存R1的内容，可执行______指令。()

A.PUSHR1 B.PUSH@R1

C.PUSH01H D.PUSH09H

4．有13位地址线，4根数据线的存储器的存储空间为（）

A.8kByte B.4kByte

C.13kByte D.3kByte

5．51单片机执行MOVX读指令时，相关的信号状态是()

A.PSEN无效为低电平，RD有效为低电平

B.PSEN无效为高电平，RD有效为低电平

C.PSEN有效为低电平，RD无效为高电平

D.PSEN有效为高电平，RD无效为高电平

6．在MSC-51单片机程序中用伪指令DB定义的字节数据存放在()

A.片内RAM B.程序存储器

C.外部RAM D.片内位寻址区

7．MCS-51外扩存储器时，系统的高8位地址总线是由_________口构成。()

A.P0B.P1 C.P2 D.P3

8．CPU响应______中断时，不会由CPU自动清除中断请求标志。()

A.外部中断0 B.定时器T0

C.计数器T1 D.串行口

9．对程序存储区数据传送，应采用助记符为

A．MOV B.MOVC

C.MOVX D.PUSH

10．在MCS-51中，需要双向传递信号的是

A.地址线 B.数据线

C.控制信号线 D.电源线

11．MCS-51串行口扩展并行I/O口时，串行口工作方式应选择

A.方式0 B.方式1

C.方式2 D.方式3

12．下列指令中属于位寻址方式的是

A.MOVA，20H B.MOVC，20H

C.MOV20H，30H D.MOVA，#30H

13．下列指令不是变址寻址方式的是（）。

A.JMP@A+DPTR B.MOVCA，@A+PC

C.MOVXA，@DPTR D.MOVCA，@A+DPTR

14．MCS-51单片机的RS1,RS0=11时，当前寄存器R0—R7占用内部RAM()单元。

A.00H—07HB.08H—0FH

C.10H—17HD.18H—1FH

15．MCS-51单片机的定时器/计数器工作方式1是（）。

A.8位计数器结构B.16位计数器结构

C.13位计数器结构D.2个8位计数器结构

16．定义位地址的伪指令是（）。

A.DS B.DB

C.DW D.BIT

17．MCS-51单片机的4个并行I/O口作为通用I/O口使用时，()口应该加上拉电阻。

A.P0B.P1

C.P2D.P3

18．下列关于MCS-51单片机说法错误的是()。

A.CPU能处理8位二进制数据或代码以及布尔运算

B.8051总共有256个RAM单元，内部数据存储器为前128单元

C.8031内部没有程序存储器

D.8031内部没有时钟电路，需要外接时钟信号或振荡电路

2.51单片机执行MOVXA,@DPTR指令时，相关的信号状态是()。

A.PSEN无效，RD为低电平，WR为高电平

B.PSEN无效，RD为高电平，WR为低电平

C.PSEN有效，RD为低电平，WR为高电平

D.PSEN有效，RD为高电平，WR为低电平

3.51单片机的时序单位从小到大依次是()。

A.拍节、状态、机器周期，指令周期

B.状态、拍节、机器周期，指令周期

C.拍节、状态、指令周期，机器周期

D.状态、机器周期、拍节、指令周期

19．MCS-51单片机的位寻址区位于内部RAM的()单元。

A.00H—7FHB.2