半导体器件物理与工艺-第4章.pptVIP

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2024-09-09 发布于广西
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半导体器件物理与工艺-第4章.ppt

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第4章PN结;本章主题;4.1根本工艺步骤;4.2热平衡状态;能带图;平衡费米能级;内建电势;空间电荷;4.3耗尽区

4.3.1突变结电场电势分布;耗尽层近似;耗尽层近似;电场随x线性变化，在x=0时达最大值：;电势分布;P-N和P+N结;耗尽层宽度;单边突变结相关公式;在n+p结，NDNA,XnXp;4.3.2线性缓变结;线性缓变;在x=0处，最大电场为;4.4耗尽层势垒电容;两种结势垒电容公式;变容器;p+;4.5电流电压特性;4.5.1理想情况;上式称为理想二极管方程式

JS是饱和电流密度，理想电流-电压特性如图;4.5.2产生复合与大注入影响;产生复合与大注入影响;产生复合与大注入影响;产生复合与大注入影响;串联电阻和大注人效应;4.5.3温度影响;对于一扩散电流占优势的单边p+-n，饱和电流密度JS和温度关系;4.6电荷储存与暂态效应;扩散电容;暂态响应;4.7PN结的电击穿;雪崩击穿通用公式;隧道击穿;4.8异质结;异质结

;两个假设;耗尽区宽度;作业5;作业6