SJ 21164-2016 MEMS惯性器件圆片减薄抛光工艺技术要求.pdf

中华人民共和国电子行业标准

FL6117SJ21164-2016

MEMS惯性器件圆片减薄抛光工艺技术要求

TechnicalrequirementsforrvIErtlSinerti~ldev£cewafergrindingandpolishing

process

SJ21164-2016

目lj~

本标准由中国电子科技集团公司提出。

本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。

本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、中国人民解放军空军驻石家庄地区军事代

表。

本标准主要起草人：任霄峰、何洪涟

SJ21164-2016

MEMS惯性器件困片减薄抛光工艺技术要求

1范围

本标准规定了:MEMS惯性器件制造过程中圆片减薄抛光工艺的工艺流程、工艺要求和检验要求。

本标准适用于圆片的机械减薄及化学机械抛光工艺。

2规范性引用文件

下列文件中的条款、

修改单（不包含勘J且4

4一般唱τ··

4.2环境要求

4.2.1净化环境

工艺间净化条件应符合GB/T25915.1-2010中ISO7级规定。

4.2.2温度

SJ21164-2016

4.2.4工作场所

本工艺应在洁净厂房内进行，洁净厂房应符合GB50073-2013规定。

工作场所应整洁有序，有良好的照明条件，湿法腐蚀工作区的光照度应不低于750Ix，检验工作区

的光照度应不低于lOOOlx。

4.3安全要求

4.3.1工艺问人员应穿防静电净化服、防静电工作鞋，佩戴一次性口罩和手套。

4.3.2检查由水、电引起的安全隐患。

4.3.3设备必须接地可靠、安全。

4.3.4高压端操作时，必须两人在场，进行相关操作。

4.3.5按设备操作规程进行操作，防止事故的发生。

4.3.6进行腐蚀液操作时应在指定的通风柜中操作，保证良好的通风状态，佩戴防护口罩、手套、眼

镜等护具。

4.3.7清洗硅片所产生的废液应合理处置，废酸应回收在固定容器中，定期回收处理。

4.3.8工艺过程中产生的尾气由废气管道接入厂房尾气排风口，禁止随意排放。

4.4材料要求

本工艺所需主要材料及要求见表1，所用材料应严格按照相关存储条件存放，在有效期内使用。

表1主要材料

..

名称技术要求

用途

二：t

化学抛光液分析纯，25%

抛光

氢氟酸分析纯，40%

清洗

氨气99.999%干燥

过氧化氢分析纯，30%清洗

氨水分析纯，25%清洗

去离子7.K电阻率＞17MQ·cm减薄、配液及清洗