SJ 21168-2016 MEMS惯性器件金属薄膜生长工艺技术要求.pdf

中华人民共和国电子行业标准

FL6117SJ21168-2016

MEMS惯性器件金属薄膜生长工艺技术要求

TechnicalrequirementsforMEMSinertialdevicemetalfilmsdepositionprocess

SJ21168-2016

目lj~

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MEMS惯性器件金属薄膜生长工艺技术要求

1范围

本标准规定了h在EMS惯性器件制造过程中金属薄膜生长的工艺流程、工艺要求和检验要求。

本标准适用于圆片上金属薄膜（铝、铭／金、铭／铅／金、铁／金、铁／铀／金）生长的工艺。

2规范性引用文件

下列文件中的条款、

、l且此日期的引用文件，其随后所有的

..11111

修改单（不包含勘、口

2木标准达成协议的各方研究

是否可使用这些7Jf-宅町、

3.2

欧姆接触

指没有整d

4一般要求

4.1人员要求

4.1.1操作人员应经过专业岗位技术培训｜｜，经考核合格后持相应的岗位资格证上岗。

4.1.2操作人员应掌握相关半导体工艺基础知识，能解决工艺过程中出现的一般问题。

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4.2.2温度

工作间的环境温度应控制在20℃～24℃。

4.2.3相对湿度

工作间的相对湿度应控制在30%～70%。

4.2.4工作场所

本工艺应在洁净厂房内进行，洁净厂房的设计应符合GB50073-2013的规定。

工作场所应整洁有序，有良好的照明条件，湿法腐蚀工作台面的光照度应不低于750lx，检验工作

台面的光照度应不低于IOOOlx。

4.3安全要求

4.3.1工艺间人员应穿防静电净化服、防静电工作鞋，佩戴一次性口罩和手套。

4.3.2检查由水、电引起的安全隐患。

4.3.3设备必须接地可靠、安全。

4.3.4按设备操作规程进行操作，防止事故的发生。

4.3.5腐蚀液有刺激性、腐蚀性，操作时应在通风柜中进行，佩戴防护口罩、手套、眼镜等护具。

4.3.6在高压端操作时，必须两人在场，进行相关操作。

4.3.7操作场地应通风良好，清洗圆片时应在指定的通风柜中操作。

4.3.8使用化学品时，应确认包装完整、无破损。

4.3.9清洗肉片所产生的废液应合理处置，废酸应回收在固定容器中，定期回收处理。

4.3.10工艺过程所产生的尾气经处理后接入厂房尾气管道，禁止随意排放。

4.4材料要求

工艺所需主要材料及要求见表1，所用材料应严格按照相关存储条件存放，在有效期内使用。

表1主要材料

名称技术要求

用途

金（Au)纯度99.99%金薄膜牛．长

铝（Al)纯度99.99%

铝薄膜生长

铅（Pt)纯度99.99%铅薄膜生长

铭（Cr)