SJ 21169-2016 MEMS惯性器件干法刻蚀工艺技术要求.pdf

中华人民共和国电子行业标准

FL6117SJ21169-2016

MEMS惯性器件干法刻蚀工艺技术要求

TechnicalrequirementsforMEMSinertialdevicedryetchingprocess

SJ21169一2016

目lj昌

本标准由中国电子科技集团公司提出。

本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。

本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。

本标准主要起草人：王利芹、杨拥军、徐永青、任倩婷、李丽霞、何洪涛、沈路、11~日丽。

SJ21169-2016

MEMS惯性器件干法哀lj蚀工艺技术要求

1范围

本标准规定了MEMS惯性器件制造过程中干法刻蚀的工艺流程、工艺要求和检验要求。

本标准适用于硅片和硅片上介质薄膜（氧化硅、氮化硅）干法刻蚀的工艺。

2规范性引用文件

修改单（不包含勘t期可

是否可使用这些若干

3.1

3.2

底切

3.3

根切notching

SJ21169-2016

4一般要求

4.1人员要求

4.1.1操作人员应经过专业岗位技术培训，经考核合格后持相应的岗位资格证上岗。

4.1.2操作人员应掌握相关半导体工艺基础知识，能解决工艺过程中出现的一般问题。

4.2环境要求

4.2.1净化环境

净化问条件应符合GB厅25915.1-2010中ISO6级规定。

4.2.2温度

工作间的环境温度应控制在20℃～24℃0

4.2.3相对湿度

工作间的相对湿度应控制在30%～70%。

4.2.4工作场所

本工艺应在洁净厂房内进行，洁净厂房的设计应符合GB50073-2013的规定。

工作场所应整洁有j芋，有良好的照明条件，干法刻蚀工作区的光照度应不低于750Jx，检验工作区

的光照度应不低于IOOOlx。

4.3安全要求

4.3.1工艺间人员应穿防静电净化服、防静电工作鞋，佩戴一次性口罩和手套。

4.3.2检查由水、电引起的安全隐患。

4.3.3设备必须接地可靠、安全。

4.3.4设备内部有高压，要注意用电安全，严格按照设备仪器操作规程进行操作，防止事故发生。

4.3.5设备工作时勿长期注视观察窗，避免反应腔内产生的较强等离子体辉光对眼睛造成伤害。

4.3.6装有毒气的气瓶需存储在专用气瓶柜内，定期监控仪表压力值，确认气体使用正常。

4.3.7气瓶柜和尾气排放处应该连接有强排风设备。

4.3.8应在排风正常的情况下工作，排风停止时，需立即终止工作，并采取相应的应急处理措施。

4.3.9工艺过程中产生的尾气由废气管道接入厂房尾气排风口，禁止随意排放。

4.4材料要求

工艺所需主要材料及要求见表1，所用材料应严格按照相关存储条件存放，在有效期内使用。

表1主要材料

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4.5设备、仪器和工具

4.5.1设备、仪器

设备应定期进行鉴定，仪器应定期进行计量校准，在有效期内使用。工艺常用设备、仪器见表2o

表2常用设备和仪器

名称技术要求用途