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总的来说就是以三极管为核心，以集成运放为主

线。

集成运放内部主要组成单元是差分输入级、电压放大级、功率放大级、偏置电路。

集成运放的两个不同工作状态[线性和非线性应用。

模拟电路主要就是围绕集成运放的内部结构、外部特性及应用、性能改善、工作电源产生、信号源产生等展开。;湖南科技大学信息与电气工程学院;一、放大电路的表示方法;1.放大倍数(增益)— — 表征放大器的放大能力

根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的要求，放大器可分为四种类型，所以有四种放大倍数的定义。;（1）电压放大倍数定义为:;2.输入电阻Ri— — 从放大电路输入端看进去的等效电阻 决定了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。;3.输出电阻Ro——从放大电路输出端看进

去的等效电阻。决定了放大电路带负载的能力。;输出电阻是表明放大电路带负载的能力，Ro越小，放大电路带负载的能力越强，反之则差。;4.通频带;湖南科技大学信息与电气工程学院;;差模输入电阻rid→∞

开环输出电阻 ro→0;理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性，这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈）下工作。

(1)虚短

由于运放的电压放大倍数很大，而运放的输出电压是有限的，一般在10V14V。因此运放的差模输入电压不足1mV，两输入端近似等电位，相当于“短

路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。

“虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一特性称为虚假短路，简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。;(2)虚断;几种常见的基本运算电路;;;3.2.1 载流子的漂移与扩散;在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;PN结加正向电压时具有较大的正向扩散电流

PN结加反向电压时;PN结V-I特性表达式;;一、PN结的伏安方程;二、二极管的伏安特性;;2恒压降模型;;过Q点的切线可以等效成一个微变电阻;特别注意

小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。

该模型用于??极管处于正向偏置条件下 且vDVT。;一 稳压二极管;湖南科技大学信息与电气工程学院;半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。;三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载;2.电流分配关系;;3.三极管的三种组态;三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。

实现这一传输过程的两个条件是[

内部条件[发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。

外部条件[发射结正向偏置，集电结反向偏置。;4.1.3 BJT的V-I特性曲线;2. 输出特性曲线

iC=f(vCE)?iB=const

输出特性曲线的三个区域:

饱和区 iC明显受vCE控制的区域该区域内 一般vCE 0.7V(硅管)。此时 发射结正偏 集电结正偏或反偏电压很小。;极限参数

集电极最大允许电流ICM

集电极最大允许功率损耗PCM

PCM=ICVCE;?V(BR)CEO— — 基极开路时集电极和发射;?根据vs的波形;;;饱和失真的波形;4.3.2 小信号模型分析法;;重点掌握固定偏流射极电路和分压式射极电路;小信号模型等效电路法的步骤[;三种组态的特点及用途;阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电容及三极管的结电容等，它们的容抗随频率变化，故当信号频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。;;;二、直接耦合方式的优缺点;优点 Q点相互独立

缺点 ?? 低频特性差;3、变压器耦合;4.7.2多级组合放大电路的动态分析;二、输入电阻;湖南科技大学信息与电气工程学院;6.1.1 BJT电流源电路;6.1.1 BJT电流源电路;6.2.1 差分式放大电路的一般结构;6.2.1 差分式放大电路的一般结构;3.差分放大电路四种接法;1.差分放大电路的任意输入信号都可以分解为一对共模信号和一对差模信号组合，因此单端输入的差分电路仍可看作双端输入时的工作状态。

2.差分放大电路的差模电压放大倍数只与输出方式有关，而于输入方式无关，即输入方式无论是单端输入还是双端输入，只要是双端输出，差动放大电路的差模电压放大倍数就等于单管放大电路的电压放大倍数]凡是单端输出，差动放大电路的差模电压放大倍数就只等于单管放大电路电压放大倍数的一半。;湖南科技大学信息与电气工程学院;7.1.1 什么是反馈;;7.1.3 正反馈与负反馈;7.1.3 正反馈与负反馈;7.1.5 电压反馈与电流反馈;7.1.5 电压反馈与电流反馈;;7.2