中间结构及其制备方法、芯片转移方法.pdfVIP

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2024-03-27 发布于四川
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中间结构及其制备方法、芯片转移方法.pdf

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本申请涉及一种中间结构及其制备方法、芯片转移方法。一种中间结构，包括：暂态基板，暂态基板的表面具有多个间隔排布的凹槽；多种填充胶层，分别位于不同的凹槽内，各种填充胶层于相同的去除条件下分别具有不同的去除速率；待转移芯片，键合于凹槽处，待转移芯片的正面形成有芯片电极，芯片电极插入至填充胶层内；支撑结构，位于待转移芯片相对的两侧，支撑结构自待转移芯片的背面经由待转移芯片的侧壁延伸至暂态基板的表面。上述中间结构，可以通过调节环境条件，使得固定待拾取芯片的填充胶层达到去除条件，以将待拾取芯片从暂态基板脱

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117766449A

(43)申请公布日2024.03.26

(21)申请号202211136331.9

(22)申请日2022.09.19

(71)申请人重庆康佳光电科技有限公司

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