一种辐照总剂量与电磁干扰协合损伤效应测试系统与方法发明专利.pdfVIP

一种辐照总剂量与电磁干扰协合损伤效应测试系统与方法发明专利.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 111781445 B (45)授权公告日 2022.05.06 (21)申请号 202010575638.3 (51)Int.Cl. G01R 31/00 (2006.01) (22)申请日 2020.06.22 G01R 29/08 (2006.01) (65)同一申请的已公布的文献号 (56)对比文件 申请公布号 CN 111781445 A CN 103105553 A,2013.05.15 (43)申请公布日 2020.10.16 CN 202929165 U,2013.05.08 (73)专利权人 西安交通大学 CN 105891700 A,2016.08.24 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西 CN 109188111 A,2019.01.11 路28号 US 6476597 B1,2002.11.05 邹树梁 等.核电厂事故工况下监控用图像 (72)发明人 刘书焕 黄泰燚 李卓奇 张坤  传感器可用性评价及加固方案研究.《核电建设 李龙 刘双瑛 张君 阿米尔  运行》.2015,第76-81页. 许江涛 张国和 陈伟  审查员 冉祎 (74)专利代理机构 西安智大知识产权代理事务 所 61215 专利代理师 何会侠 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种辐照总剂量与电磁干扰协合损伤效应 测试系统与方法 (57)摘要 本发明公开了一种辐照总剂量与电磁干扰 协合损伤效应测试系统与方法,该系统包括射频 信号源、射频功分器、恒压电压源、半导体参数测 试仪、矩阵开关、上位机、辐照测试板以及测试样 品板;射频信号源提供任意频率和幅值的电磁干 扰信号,经过一分多射频功分器注入到多个测试 样品之中;恒压电压源通过半导体参数测试仪为 测试样品提供偏置电压;半导体参数测试仪通过 矩阵开关可以同时连接多个测试样品,并为其设 置不同偏置状态;通过上位机程序操控半导体参 数测试仪,设置不同测试任务及为测试样品设置 B 不同参数,完成参数测试;测试样品固定于辐照 5 测试板上放置在辐照间接受粒子辐照;从而实现 4 4 1 了辐照总剂量与电磁干扰协合损伤效应的测试。 8 7 1 1 1 N C CN 111781445 B 权 利 要 求 书 1/1页 1.一种辐照总剂量与电磁干扰协合损伤效应测试系统的测试方法,该测试系统包括射 频信号源、射频功分器、恒压电压源、半导体

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