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本发明提供一种具有超级势垒屏蔽栅的半导体器件及其形成方法，具有超级势垒屏蔽栅的半导体器件包括衬底，所述衬底上形成有外延层和位于所外延层内的沟槽；屏蔽栅，所述屏蔽栅位于所述沟槽的底部，超级势垒结构，所述超级势垒结构位于所述屏蔽栅上且与外延层远离衬底的一面齐平，所述屏蔽栅和所述超级势垒结构连通；源区，所述源区位于所述沟槽的两侧，超级势垒管，所述超级势垒结构与所述源区短接构成超级势垒管。进一步的，所述栅极与所述超级势垒结构位于同一沟槽内纵向并排分布且通过隔离层纵向隔离。关断过程中，电流通过超级势垒管形
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825848 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310946003.3 (22)申请日 2023.07.28 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地
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