InAlNAlNGaN NFETs界面缺陷态及肖特基特性研究的中期报告.docxVIP

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2023-08-25 发布于上海
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InAlNAlNGaN NFETs界面缺陷态及肖特基特性研究的中期报告.docx

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InAlNAlNGaN NFETs界面缺陷态及肖特基特性研究的中期报告这是一份关于“InAlNAlNGaN NFETs界面缺陷态及肖特基特性研究的中期报告”的研究报告。该研究旨在探究InAlN/AlN/GaN异质结构中的界面缺陷态和肖特基特性。在研究的中期阶段，研究团队首先通过电学测试和数值模拟分析了InAlN/AlN/GaN异质结构的电学特性。通过透射电子显微镜和高分辨透射电镜观察样品的微观结构，研究团队还确定了界面的层次结构和缺陷密度。接下来，研究团队使用电学测试技术分析了肖特基二极管的特性。通过在不同温度下测量电流电压关系并绘制伏安特性曲线，并使用空间电荷限制等效模型来分析损失机制和载流子传输特性。最后，研究团队进行了界面缺陷态的研究。通过光致发光和表面等离子体共振技术观察了异质结构界面缺陷态的增强和电荷转移等现象。广谱的称谓谱技术还被用于分析样品结构，确定界面缺陷态的种类和分布情况。总之，这项研究的中期报告提供了对InAlN/AlN/GaN异质结构界面缺陷态和肖特基特性的深入理解。这些结果将为新型NFET器件的研制提供科学依据。