一种新型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及应用.pdfVIP

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2023-07-06 发布于四川
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一种新型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及应用.pdf

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本发明涉及一种新型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及应用，属于微电子研究技术领域，相对于传统的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，本发明引入了新型的开口栅结构，且具有全新的器件调控机理。开口区域的二维电子气密度不受栅偏压调控，因此器件可以在栅下电子被耗尽后继续导通，此后通过极化库仑场散射调控开口区域的电子迁移率，实现对开口区域电流的调制，从而使器件阈值电压明显降低，并且可以通过改变开口区域的宽度，实现对阈值电压的调控。这种具有开口栅结构的新型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，更适合应

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823680 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202110080815.5 (22)申请日 2021.01.21 (71)申请人山东大学地址 25