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本发明提供的一种半导体结构的制造方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供已完成阱注入的衬底；进行双栅极氧化物沉积；进行氮化硅沉积；在沉积有氮化硅膜的衬底正面、侧面和至少一部分背面形成疏水层。在上述技术方案中，通过在晶圆(即衬底)的背面形成适当的疏水层以后，便可以因晶圆背面的疏水功能有效的降低化学液体对晶圆最外层涂层破损位置的渗透，减少或消除晶圆背面涂层脱落的碎片，使晶圆的正面不受到碎片落入影响，从而提高晶圆的产品良率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823549 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202010566943.6 (22)申请日 2020.06.19 (71)申请人 中国科学院微电子研究所
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