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本发明实施例提供一种压电薄膜的形成方法及体声波谐振装置的形成方法，其中，压电薄膜的形成方法包括：提供第一基底；形成牺牲层，位于第一基底上；形成压电层，位于牺牲层上；采用激光照射第一基底，用于汽化所述牺牲层；去除第一基底，形成压电薄膜。本发明实施例采用特定波长的激光汽化过渡基底和压电层之间的牺牲层，然后去除过渡基底，可以形成一层平坦的压电薄膜，压电薄膜不包括明显转向的晶粒，晶体质量较高，从而具有较高的机电耦合系数和Q值。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113824419 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202111053898.5 (22)申请日 2021.09.08 (71)申请人 常州承芯半导体有限公司
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