基于栅极场板和双源极场板的HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-06 发布于四川
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基于栅极场板和双源极场板的HEMT器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于栅极场板和双源极场板的HEMT器件及其制备方法，包括：在第一衬底上进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底上形成键合中间层，并将β‑Ga2O3转印到键合中间层上，形成异质结衬底；在异质结衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长次势垒层、第一掺杂层、第一异质结层、量子阱层、第二异质结层、第二掺杂层以及主势垒层；在主势垒层的上表面两侧进行离子注入，形成源极欧姆接触区以及漏极欧姆接触区；形成源极、漏极；在主势垒层的上表面生长氧化层、第一介质层；在第一介质层上形成栅极，在栅极上形成栅极场板

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823681 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202111005105.2 (22)申请日 2021.08.30 (71)申请人瑶芯微电子科技（上海）有限公司