电路基础与集成电子技术-第4章习题解答.pdfVIP

第4章 半导体二极管和晶体管 习题解答 【 4-1】 填空： 1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。两 种载流子的浓度 。 2 ．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子 的浓度则与 有很大关系。 3．漂移电流是 在 作用下形成的。 4 ．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。 5 ．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作 在 。 描 述 稳 压 管 的 主 要 参 数 有 四 个 ， 它 们 分 别 是 、 、 、和 。 6 ．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。 7 ．双极型晶体管可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。 8．场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅 取决于 载流子的流动；因而它又称作 器件。 9 ．场效应管属于 控制型器件，而双极型晶体管是 控制 型器件。 10．当温度升高时，双极性晶体管的β 将 ，反向饱和电流 I 将 ， CEO 正向结压降U 将 。 BE 11．用万用表判断电路中某个晶体管的工作状态时，测出 最为方便。 12．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证 和 ； 在饱和区，应保证 和 ；在截止区，应保证 和 。 13 ．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线 将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。 解： 1. 化学成分纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 2. 杂质浓度，温度。 3. 少数载流子，( 内) 电场。 4. 单向导电性，正向导通压降U 和反向饱和电流I 。 F S 5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压 （U ），稳定电流 （I ），最大管耗 Z Zmin r （P ），动态电阻（ ）。 Zmax Z 6. 增大。 7. NPN ，PNP ，自由电子，空穴。 8. 结型，绝缘栅型，多子，单极型。 9. 电压，电流。 10. 变大，变