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切片培训资料
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太阳能硅片分为两种:多晶硅片
单晶硅片
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切片工艺流程:
多晶硅锭 开方 硅块去胶
去头尾 磨面
倒角
粘胶 切片 脱胶 清洗 分检 包装
单晶硅棒 截断 开方 滚磨
硅块去胶
磨面
粘胶 切片 脱胶 清洗 分检 包装
我们可以清楚看到多晶硅片与单晶硅片加工工艺的不同点
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单晶切割工艺
1.硅棒截断—带锯截断机
需注意:
a.硅棒需固定稳当。
b.运行时关注带锯是否正常。
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2.开方
a.开方准备---硅棒需准备固定在工作架上
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磨料:SIC
切割液: PEG
浆料
需注意:1.检查原料是否合格,sic需烘干,PEG中是否含有水等
2.搅拌速度和时间符合规范
3.浆料密度至切割要求
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b.开方---一次可开25根单晶硅棒,长度小于500mm
注:操作严格按作业指导书进行
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3.硅棒去胶
放入80度水中使胶水变软,然后清除干净硅棒上的胶。
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4.滚磨
磨面倒角机.VOB
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工艺标准 : 直径:150± 0.2mm,边缘无崩边现象。
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技术标准
W
ф
C
125±0.5mm
150±0.5mm
21±0.8mm
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5.磨面
工艺标准:
两平面平行度 ≤0.01mm
垂直度 ≤0.02mm
尺寸,误差 ≤0.01mm
粗糙度 ≤0.02μm
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6.粘胶
B剂 A剂
调胶:根据棍棒长度确定胶的用量。A为树脂,B为固化剂
把玻璃板粘在工作台上,用重物压在玻璃上加强固化效果
硅棒粘在玻璃上,放置6H后可切片
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7.切片
HCT.mov HCT1.mov
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切割原理介绍
多线切割:高速运动的镀铜钢线+切削液(含具备切削能力的介质如SiC)+持续下压的工件(硅块)
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切割三大必备要素
切割线:镀铜钢线(D:100~140um)
切割砂:颗粒小、高硬、尖锐、高切割力(D:~10um)
切削液:具备润滑、冷却、高悬浮性能(带砂)
第17页/共35页
如何做好线切工作?
1.人:操作合理、到位,责任心强2.机:机台保养、检修,保证设备状况良好3.料:物料准备要足、快、好4.法:执行良好的切割工艺5.环:生产环境良好、杜绝外界因素的影响
线切机介绍切片工艺简介.ppt
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8.脱胶
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切片后,去胶前情况
脱胶后,工作台被移走,硅片表面浆料被冲洗干净
放入85 ℃水中,等待胶变软
脱胶完成后
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9.清洗
硅片 插入篮中
插好的片子放入干净的水中
清洗篮
插片蓝
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硅片清洗区
硅片干燥区
捷佳创.avi
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第23页/共35页
10.分选
清洗完的硅片放入检片区
检片工作台
第24页/共35页
自产的硅片分合格品和等外品两大类,合格品等外品的分类及标准如下:
第25页/共35页
硅片按照不同的类别放入不同盒中
每叠100片
第26页/共35页
硅片性质、生产流程及其工艺
右图为可以测量厚度和TTV的花岗石测量仪器。
用刻度模板的刻度目测缺角、梯形、外形片是否存在检测标准内。
上图为刻度模板
第27页/共35页
自动分选机
检测项目包括:厚度、TTV、线痕、气孔、翘曲度、BOW/WARP、外形尺寸、寿命、电阻率、P/N型、崩边、裂纹和边缘缺陷等。
硅片分选机.mpg
第28页/共35页
11.包装
第29页/共35页
多晶切割工艺
--多数工艺与单晶类同,选取不同的几点说明。
第30页/共35页
1.开方
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