具有漂移区和背面发射极的半导体装置及制造方法.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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具有漂移区和背面发射极的半导体装置及制造方法.pdf

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本发明涉及具有漂移区和背面发射极的半导体装置及制造方法。通过外延而在前侧在底部衬底(105)上形成外延层(106)。从前侧的相反侧，底部衬底(105)的至少一部分被去除，其中底部衬底(105)被完全去除或者剩余底部部分(105a)具有至多20μm的厚度。从前侧的相反侧将第一电荷类型的掺杂物注入到外延层(106)的注入层(138)中。形成与前侧相对的金属漏电极(320)。至少注入层(138)被加热到不高于500℃的温度，其中所述加热仅激活注入层(138)中的注入掺杂物的一部分，并且在加热之后，沿着

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113241380 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110526623.2 H01L 29/06 (2006.01) (22)申请日 2